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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當,而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術,這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
- 關鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術,由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術,具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術能力。
- 關鍵字: 華潤微電子 半導體 SOI
基于TOPSwitch-JX LED恒流驅動器的設計

- 摘要:文中以設計一種精密高效的LED恒流驅動電源為目的,采用TOPSwitch_JX系列智能集成芯片實現(xiàn)了一款恒流驅動器,經(jīng)過實際性能測試,得到了穩(wěn)定的輸出電流,達到LED恒流驅動的要求。
關鍵字:LED;TOPSwitch-JX;M - 關鍵字: 設計 驅動器 LED TOPSwitch-JX 基于
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