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Peregrine半導體公司在電子設計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

  • 　　Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅，今天，在電子設計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
  • 關鍵字： Peregrine  射頻  SOI  

非制冷紅外焦平面陣列電路設計

  • 　　針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
  • 關鍵字： 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

東芝推出智能手機專用射頻天線開關

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關，其插入損耗堪稱智能手機市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
  • 關鍵字： 東芝  射頻天線  SOI  

不懈追尋科技引領智能生活理念

  • 電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術演進。
  • 關鍵字： ST  機頂盒  多媒體處理器  FD-SOI  

FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

  • 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
  • 關鍵字： 助力  平臺  NovaThor  下一代  FD-SOI:  

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  • 　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
  • 關鍵字： ST  FD-SOI  10nm  

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

  • 　　12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 　　FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
  • 關鍵字： ST  晶圓  FD-SOI  

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。
  • 關鍵字： 意法  納米  FD-SOI  

華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 　　華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術能力。
  • 關鍵字： 華潤微電子  半導體  SOI  

華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺階

  • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。
  • 關鍵字： 華潤上華  SOI   CDMOS  

Renesas V850ES-Jx3 移動心電圖(ECG)解決方案

  • Renesas V850ES-Jx3 移動心電圖(ECG)解決方案,Renesas 公司的V850ES-Jx3 系列32位MCU包括V850ES/JC3-L系列和V850ES/JE3-L系列,集成了V850ES CPU內核和外設功能如ROM/RAM,定時器/計數(shù)器,串行接口,ADC,DAC,主要用在數(shù)碼相機,電表,移動終端,數(shù)字家用電器和其它消費類
  • 關鍵字： Renesas  ES-Jx  ECG    

意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
  • 關鍵字： 意法  芯片  FD-SOI  

利用200V SOI工藝有效降低LED TV背光方案成本

  • CCFL和LED是當前LCD僅有的兩種背光源，CCFL是傳統(tǒng)的背光方式，而LED作為LCD背光的后起之秀，正在迅速搶占LCD背光市場。電視機廠商和面板廠商之所以積極推動LED背光液晶電視，原因在于全球各國的耗電量規(guī)定以及其環(huán)保
  • 關鍵字： TV  背光  方案  成本  LED  降低  200V  SOI  工藝  有效  利用  

基于TOPSwitch-JX LED恒流驅動器的設計

  • 摘要：文中以設計一種精密高效的LED恒流驅動電源為目的，采用TOPSwitch_JX系列智能集成芯片實現(xiàn)了一款恒流驅動器，經(jīng)過實際性能測試，得到了穩(wěn)定的輸出電流，達到LED恒流驅動的要求。
    關鍵字：LED；TOPSwitch-JX；M
  • 關鍵字： 設計  驅動器  LED  TOPSwitch-JX  基于  

基于SOI高壓集成技術的電平位移電路設計

  • 隨著智能功率IC的發(fā)展.其應用領域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅動IC在功率開關、顯示驅動等領域得到廣泛應用。在柵驅動電路中需要電平位移電路來實現(xiàn)從低壓控制輸入到高壓驅動輸出的電平轉
  • 關鍵字： 電平  位移  電路設計  技術  集成  SOI  高壓  基于  
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