sic 文章進(jìn)入sic技術(shù)社區(qū)

使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)

最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們?cè)谖磥矸判牡厥褂?SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競(jìng)爭力，反向恢復(fù)電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作，是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作，開展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
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中國小型 SiC 廠商，難過 2023

2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級(jí)下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關(guān)損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場(chǎng)特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動(dòng)車傳動(dòng)系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)減少使用 S
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)，誰將受益？

“現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場(chǎng)的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢(shì)成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅(jiān)定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測(cè)和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長期供應(yīng)協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行，并能夠無縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵(lì)措施，電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢(shì)。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場(chǎng)也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì)，全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)規(guī)模將從 2
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

“引言”近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
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目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元，用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠，目標(biāo)在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國、捷克共和國和韓國都設(shè)有工廠，其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠，安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導(dǎo)體的銷售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行，同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]