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利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

  • 摘要在無(wú)線(xiàn)收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類(lèi)應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,可以切斷電源電壓,斷開(kāi)系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān),從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡(jiǎn)介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性,一種方法是實(shí)施能夠檢測(cè)故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障,能夠減輕潛在損害,確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  系統(tǒng)電源循環(huán)  ADI  

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線(xiàn)

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
  • 關(guān)鍵字: Transphorm  高功率服務(wù)器  工業(yè)電力轉(zhuǎn)換  氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管  碳化硅  SiC  

安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的 推動(dòng)下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%,在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長(zhǎng) 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專(zhuān)注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
  • 關(guān)鍵字: 安森美  第三代半導(dǎo)體  碳化硅  SiC  

SiC 長(zhǎng)期供貨,理想簽協(xié)議

  • 意法半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
  • 關(guān)鍵字: SiC  

如何增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性?這三樣法寶請(qǐng)您收下!

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件,對(duì)許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō),壓降不是問(wèn)題,但在高電流應(yīng)用中,各個(gè)壓降會(huì)產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類(lèi)應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是,MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管,并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開(kāi)關(guān)(通常為MOSFET)來(lái)模擬二極管的單向
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  功率開(kāi)關(guān)  

SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能!

  • 過(guò)去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò),它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu),而是垂直結(jié)構(gòu),它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?,引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu),如超級(jí)結(jié),并極大地改變了MOSFET的行為?;維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素。現(xiàn)在,通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù),安森美(onsemi)使仿真精度
  • 關(guān)鍵字: 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)

  • 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類(lèi)型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率(50-100kHz)來(lái)維持所需的紋波電流。然而,對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無(wú)法滿(mǎn)足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡(jiǎn)介MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  NMOS  PMOS  

SiC是否會(huì)成為下一代液晶

  • 碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命,進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng),汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多,功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前,行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而,解決SiC容量增強(qiáng)問(wèn)題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化,這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道,2023年9月7日,該公司表示,“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?!敝袊?guó)Si
  • 關(guān)鍵字: SIC,液晶,半導(dǎo)體  

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

  • 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)?nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強(qiáng)的保護(hù)功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能,保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

  • ~產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái),隨著照明用的小型電源
  • 關(guān)鍵字: ROHM  Super Junction MOSFET  

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

  • 數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng),需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置(Source-Down)封裝,標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)和門(mén)級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇;此外,該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
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“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓?xiě)?yīng)用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度,更高的擊穿
  • 關(guān)鍵字: GaN  寬禁帶  SiC  

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

  • 奈梅亨,2023年11月30日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿(mǎn)足電動(dòng)
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  SiC  MOSFET  工業(yè)電源開(kāi)關(guān)  

三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿(mǎn)足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn),預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示,安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭,目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初,安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠(chǎng)。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司,三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同,前者以“多個(gè)離散元件組合
  • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  安世  SiC  功率半導(dǎo)體  
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