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是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

- 在過(guò)去的幾年里,碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動(dòng)車(BEV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開(kāi)始呢?工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC
碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據(jù)報(bào)道,近年來(lái),光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國(guó)KATEK集團(tuán)宣布,其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體,以提高效率,同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù),可以在高溫和高速下運(yùn)行,壽命最多可延長(zhǎng)3倍,適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日,美國(guó)制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
SiC市場(chǎng)產(chǎn)值 今年估增4成
- 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計(jì),隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動(dòng)2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長(zhǎng)41.4%。 主要成長(zhǎng)原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,能進(jìn)一步提升電動(dòng)車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動(dòng)車與再生能源領(lǐng)域,分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
- 關(guān)鍵字: SiC
市場(chǎng)規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導(dǎo)體成收購(gòu)的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核,其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購(gòu)買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上,除中瓷電子外,近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購(gòu)的方式,布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 收購(gòu) SiC GaN
新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

- 前 言 1824年,一種全新的材料被瑞典科學(xué)家,貝采里烏斯合成出來(lái),這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無(wú)奇的樣子,仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼,也許誰(shuí)也沒(méi)能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會(huì)在近200年后,在其之上長(zhǎng)出絢爛的花朵,幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無(wú)論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡,自然對(duì)于碳化硅(SiC)沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀(jì)90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
- 關(guān)鍵字: SiC 新能源汽車 汽車電子
GaN 時(shí)代來(lái)了?
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化,GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署,并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí),并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨,800V高壓超充開(kāi)始普及!

- 一直以來(lái),“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問(wèn)題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái),將SiC(碳化硅)一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V,800V帶來(lái)了更高的功效,大幅提升功率,實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si(硅)早已
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 SiC
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí),您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

- 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)

- Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
- 關(guān)鍵字: Diodes 碳化硅 肖特基勢(shì)壘二極管 SBD
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

- 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車,可提高續(xù)航里程,對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個(gè)新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國(guó)內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來(lái)發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 Model 3 SiC
瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 柵極驅(qū)動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件,以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
- 關(guān)鍵字: 安森美 大眾汽車集團(tuán) 電動(dòng)汽車 碳化硅 SiC
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