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使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應注意以下幾個問題?！　?、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
  • 關鍵字： CMOS，集成電路  

25億美元CIS大項目開創(chuàng)南京新產業(yè)板塊

  • 　　上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產業(yè)園”項目正式落戶南京開發(fā)區(qū)。該項目總投資約25億美元，建成后將填補中國CIS產業(yè)的空白，主導中國的CIS市場?！　D像傳感器是數(shù)字攝像頭的重要組成部分。根據(jù)元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導體元件)兩大類。相機和智能手機的拍照 功能離不開圖像傳感器芯片，市場很大。但CIS所屬的集成電路產業(yè)是內地的薄弱產業(yè)，芯片目前已超過石油，成為我國第一大進口商品?！　　爸袊仨殦碛凶约旱腃IS設計、生產和自主品牌。”香港德科碼科技有限
  • 關鍵字： CMOS  CCD  

“芯”技術，“芯”夢想

  • 　　2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區(qū)的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業(yè)趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果。　　公司執(zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容
  • 關鍵字： 華虹  RF-CMOS  

我國研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會

  • 　　長久以來，我國用于高端光學成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開的第十七屆中國國際高新技術成果交易會(高交會)上，由我國研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。 　　圖像傳感器可以將光信號轉化為電信號，是所有成像設備中的核心關鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設備的成像質量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  

關于運放的參數(shù)和選擇

  • 　　本文講述運放的參數(shù)和選擇方面的知識，希望對有需要的讀者有幫助。 　　偏置電壓和輸入偏置電流 　　在精密電路設計中，偏置電壓是一個關鍵因素。對于那些經常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。 　　低偏置電壓的指標在高增益電路設計中很重要，因為偏置電壓經過放大可能引起大電壓輸出，并會占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應和張力測
  • 關鍵字： 運放  CMOS  

東芝正式宣布半導體業(yè)務結構改革計劃

  • 　　東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導體業(yè)務結構改革相關事宜。改革方針有以下幾點。 　　第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務。將把生產該產品的大分工廠的300mm晶圓生產線及相關資產轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產基地之一，主要用于生產CMOS圖像傳感器。 　　另外，利用300mm晶圓生產線生產的CMOS圖像傳感器以外的半導體產品將委托SCK生產。隨著300mm晶圓生產線轉讓，與之相關的東芝及其相關公司的員工(大約1100人)
  • 關鍵字： 東芝  CMOS  

最簡單的上下拉的問題

  • 　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。 　　重要信號線的上下拉問題 　　一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時間內可能出于無驅動狀態(tài)，就需要處理。 　　比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會導致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。 　　總線上當所有的器件都處于高阻態(tài)時也容易有干擾出現(xiàn)。因為這時讀寫控制
  • 關鍵字： CMOS  TTL  

中國借力美國矽谷“超越摩爾定律”

  • 半導體產業(yè)已經因為創(chuàng)投社群對硬件開發(fā)領域興趣缺缺而沮喪了好長一段時間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
  • 關鍵字： 摩爾定律  CMOS  

Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務 不排除并購可能

  • 　　Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數(shù)位相機α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產品。該系列產品不采用化學低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。 　　日本經濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實際售價約45.1萬日圓(約3，800美
  • 關鍵字： Sony  CMOS  

一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

  • 　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
  • 關鍵字： DC-DC  CMOS  

艾邁斯半導體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

  • 　　全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。 　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進行了優(yōu)化，顯著降低了導通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
  • 關鍵字： 艾邁斯  CMOS  

使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應注意以下幾個問題： 　　1、電源問題 　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
  • 關鍵字： CMOS  集成電路  

一些常用的電平標準

  • 　　現(xiàn)在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 　　因為2.4V與5V之間還有很大空閑
  • 關鍵字： TTL，CMOS  

CMOS電路中ESD保護結構的設計要求

  • 　　簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。 　　引言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
  • 關鍵字： CMOS  ESD  

學習總結之電路是計算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
  • 關鍵字： CMOS  MOSFET  
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