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Qorvo憑借RF FUSION? 5G芯片組解決方案贏得久負盛名的GTI大獎

- 移動應用、基礎(chǔ)設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布Qorvo RF Fusion? 5G芯片組贏得2020年GTI移動技術(shù)創(chuàng)新突破大獎。此獎項是對Qorvo在5G芯片組領(lǐng)域突破性創(chuàng)新的認可;其開創(chuàng)性地兼顧了緊湊、高性能的5G功能與領(lǐng)先智能手機制造商對快速上市時間的要求。這已是Qorvo的5G產(chǎn)品第二次獲得GTI大獎。TD-LTE全球發(fā)展倡議(GTI)是由運營商和供應商組建的開放性全球協(xié)會,致力于推進TD-LTE和5G的發(fā)展。GTI獎勵
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格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄,未來將長期供應12英寸SOI晶圓
- 全球領(lǐng)先的半導體晶圓代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓(Globalwafers.Co.,Ltd)簽訂合作備忘錄(MOU),協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長期供應。 環(huán)球晶圓是全球領(lǐng)先的8英寸SOI制造者之一,也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應商,雙方長期保持著良好的合作關(guān)系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商,基于雙方未來發(fā)展與穩(wěn)定供應需求,環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作,有力擴大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
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Qorvo推出完整的V2X前端解決方案

- 近日,移動應用、基礎(chǔ)設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?, Inc.今日推出首個 47 頻段/Wi-Fi 體聲波 (BAW) 共存濾波器和基于此的V2X前端產(chǎn)品套件,可在確??煽啃缘那疤嵯聦崿F(xiàn)在遠程通信單元 (TCU) 和天線中啟用車對萬物 (V2X) 鏈路。由于從 2019 年到 2025 年,全球預計將增加 2.86 億輛聯(lián)網(wǎng)乘用車,該產(chǎn)品組合可為 V2X 通信提供了一個現(xiàn)成的解決方案。圖一注釋:Qorvo 車聯(lián)網(wǎng) - V2X、V2V、V2I、V2P 和 V2NV2X 是
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Qorvo收發(fā)器芯片簡化物聯(lián)網(wǎng)設計——率先支持所有開源智能家居協(xié)議同時運行
- ?, Inc.近日推出突破性的物聯(lián)網(wǎng)收發(fā)器 Qorvo QPG7015M,這款收發(fā)器支持所有低功率開源標準智能家居技術(shù)同時運行。這款收發(fā)器結(jié)合 Qorvo 獲得專利的天線分集和獨有的接收器設計,在覆蓋范圍、干擾穩(wěn)定性和能耗方面性能出色,有助于大幅簡化物聯(lián)網(wǎng)設計。在利用片上系統(tǒng) (SoC) 控制器產(chǎn)品提供多協(xié)議功能方面,Qorvo 已經(jīng)是成熟的領(lǐng)導者。QPG7015M 收發(fā)器主要面向網(wǎng)關(guān)物聯(lián)網(wǎng)解決方案,后者需要全面采用 Blue
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5G、測試測量、消費電子、工業(yè)等熱點為RF和模擬帶來巨大機會

- 趙軼苗?(ADI公司?系統(tǒng)解決方案事業(yè)部?總經(jīng)理) 1 5G驅(qū)動RF等新一代芯片問世 5G將在未來在更多的國家和地區(qū)部署,將帶來無線電應用的一波機會和挑戰(zhàn)。ADI作為最早把軟件無線電的概念真正落地的公司,非常關(guān)注軟件無線電在未來的應用。ADI在2013年在一個單芯片里把所有模擬的放大器、濾波器、ADC、DAC、PL集成在一個芯片里,推出了向3G和4G基站應用的高性能、高集成度的射頻捷變收發(fā)器AD9361,2018年推出了寬帶寬、高性能RF(射頻)集成收發(fā)器ADRV9009,在2020年ADI將會推
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采用LFCSP和法蘭封裝的RF放大器的熱管理計算

- 簡介射頻(RF)放大器可采用引腳架構(gòu)芯片級封裝(LFCSP)和法蘭封裝,通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當器件之間的電氣互聯(lián)連接,還是放大器排熱的主要途徑(利用封裝底部的金屬塊)。本應用筆記介紹熱阻概念,并且提供一種技術(shù),用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。熱概念回顧熱流材料不同區(qū)域之間存在溫度差時,熱量從高溫區(qū)流向低溫區(qū)。這一過程與電流類似,電流經(jīng)由電路,從高電勢區(qū)域流向低電勢區(qū)域。熱阻所有材料都具有一定的導熱性。熱導率是衡量材料導熱能
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硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼

- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部,發(fā)展速度遠超業(yè)界預期。5G商用的加速推進,讓更廣泛的智能時代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日,在中國集成電路設計業(yè)2019年會(ICCAD 2
- 關(guān)鍵字: RF-SOI BCD
儒卓力提供具有高開關(guān)速度的英飛凌寬帶RF開關(guān)

- 寬帶RF分集開關(guān)BGS14WMA9和BGS12WN6具有高開關(guān)速度,它們針對WLAN和藍牙應用進行了優(yōu)化,可為FM廣播、LTE、LAA和5G應用提供0.05至6.0GHz寬帶支持。除了高開關(guān)速度外,這兩種類型RF開關(guān)還提供高達26dBm輸入功率的高線性度、低插入損耗和高達6GHz的端口到端口高隔離度。其低耗電量可進一步節(jié)省系統(tǒng)級的功耗。這些RF開關(guān)采用英飛凌的專利MOS技術(shù)制造,具有砷化鎵(GaAs)開關(guān)的性能,并具有傳統(tǒng)CMOS(互補金屬氧化物半導體)開關(guān)的經(jīng)濟性、集成度和靜電放電(ESD)魯棒性。與采
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NI幫助工程師顯著縮短5GOTA驗證的RF測試時間
- 2019年9月30日 — 美國國家儀器(National Instruments,簡稱NI)是一家提供軟件定義平臺的供應商,其平臺有助于加速自動化測試和自動化測量系統(tǒng)的開發(fā)和性能提升,該公司今日發(fā)布了硬件加速的5G毫米波OTA驗證測試參考架構(gòu),可對5G 毫米波波束成形AiP器件進行全面的特性分析和驗證。與傳統(tǒng)的點對點軟件控制測試系統(tǒng)相比,NI的毫米波OTA驗證測試參考架構(gòu)可在24 GHz到44 GHz的5G毫米波頻段內(nèi)快速掃描OTA空間,幫助用戶顯著縮短AiP器件的OTA射頻驗證測試時
- 關(guān)鍵字: RF NI 5GOTA
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