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IMS:內(nèi)嵌RF燈泡市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2013年起飛
- 國(guó)外國(guó)外 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research 預(yù)測(cè),2013年將會(huì)是內(nèi)嵌RF功能燈泡的起飛年,有越來(lái)越多大廠計(jì)劃推出支持各種無(wú)線(xiàn)技術(shù)的新型照明產(chǎn)品。根據(jù)該機(jī)構(gòu)最近發(fā)布的照明控制連網(wǎng)技術(shù)商機(jī)報(bào)告預(yù)估,2013年內(nèi)嵌RF燈泡出貨量以及搭配的遠(yuǎn)程控制器出貨量將超過(guò)60萬(wàn)套,該數(shù)字在2017年將進(jìn)一步增長(zhǎng)至1,170萬(wàn)。 IMS Research 指出,內(nèi)嵌RF燈泡市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自多個(gè)方向,其中最重要的是通過(guò)智能手機(jī)控制照明的功能,除了在家中的控制,有部分系統(tǒng)還提供使用者從外面進(jìn)行居家照明遠(yuǎn)程控制的
- 關(guān)鍵字: Osram LED燈泡 RF
sE Electronics RF防反射隔聲罩獲美國(guó)專(zhuān)利

- sE Electronics的產(chǎn)品——RF防反射罩系列已獲得了美國(guó)專(zhuān)利保護(hù)。在中國(guó),sE的RF系列已經(jīng)獲得了專(zhuān)利。sE正申請(qǐng)歐盟的專(zhuān)利。 ? 美國(guó)專(zhuān)利號(hào)8191678——由一只話(huà)筒與一個(gè)復(fù)合材料的吸音板組合成的裝置。復(fù)合吸音板包括各種不同頻段的吸音材料。該材料集成在一個(gè)單一的層中或在多個(gè)不同的層中。 便攜式人聲防反射罩這一概念最初由sE的創(chuàng)始人鄒四維先生提出。sE于6年前正式推出專(zhuān)業(yè)版的RF防反射罩。隨著第一批專(zhuān)業(yè)防反
- 關(guān)鍵字: sE RF 防反射罩
RF防反射隔聲罩獲美國(guó)專(zhuān)利
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: sEElectronics 防反射隔聲罩 專(zhuān)利 RF
華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性?xún)r(jià)比,這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù),具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)微電子 半導(dǎo)體 SOI
華潤(rùn)上華200V SOI工藝開(kāi)發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺(tái)階
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性?xún)r(jià)比,這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)上華 SOI CDMOS
TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇
- TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)者,并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過(guò)廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列,和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務(wù),繼續(xù)保持其在高功率射頻半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。憑借其安全可靠的美國(guó)工廠在集成和封裝單個(gè)與多個(gè)晶粒方面的獨(dú)特能力的支持,TriQuint致力于提供世界級(jí)、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新,包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。 通過(guò)Richardson RFPD
- 關(guān)鍵字: TriQuint RF
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