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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
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GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

  • D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效,從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計,可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢,在4Ω負(fù)載時,每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計,其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板,實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計的靈活性高,使
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氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機(jī)和機(jī)器人

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大,而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計,在每個開關(guān)位置使用單個FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
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將達(dá)100億美元,SiC功率器件市場急速擴(kuò)張

  • SiC 市場的快速擴(kuò)張主要得益于電動汽車的需求,預(yù)計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN引領(lǐng)未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

  • Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動、基礎(chǔ)設(shè)施與國防/航空航天市場提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
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為何在RF設(shè)計中理解波反射非常重要?

  • 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設(shè)計的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計可采用多種波長的尺寸,導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性?;靖拍詈托g(shù)語假設(shè)以任意負(fù)載端接傳輸線路(例如同軸電纜或微帶線),并定義波量a和b,如圖1所示。圖1.以單端口負(fù)載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負(fù)載并從該負(fù)載反射的電壓波的復(fù)振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來定義電壓反射系數(shù)Γ,它描述了反射波的復(fù)振幅與入射波復(fù)振幅的比值:反射系數(shù)也可以
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列(Sony)合作,達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)里程碑

  • 羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列(Sony)合作,達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上,羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設(shè)備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實時演示。與Sony的合作中,羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設(shè)備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計,進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

  • 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動它,這樣就必須增加一個柵極
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帶隙對決:GaN和SiC,哪個會占上風(fēng)?

  • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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SR-ZVS與GaN:讓電源開關(guān)損耗為零的魔法

  • 當(dāng)今,快充市場正迎來前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù),快充市場的迅猛發(fā)展,用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大;移動設(shè)備的普及,用戶對于充電器體積的要求也越來越高;同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出,低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格,不僅需要高效率、高功率,還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC,在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關(guān)、初級側(cè)控制器、FluxLink?
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管,實現(xiàn)75~231A脈沖電流

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出三款激光驅(qū)動器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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“白菜化”的有源相控陣?yán)走_(dá)

  • 就在幾個月之前,一則消息被各大媒體平臺報道:2023年7月3日,為維護(hù)國家安全和利益,中國相關(guān)部門發(fā)布公告,決定自8月1日起,對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識到,不知道從什么時候開始,我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據(jù)一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示,目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸,中國的鎵金屬儲量居世界第一,約占世界總儲量的 80%-85%,而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物,砷化鎵、氮
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