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『這個知識不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)（上）
- 『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。在過去十年中，移動無線數(shù)據(jù)快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù)，以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術(shù)的發(fā)展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求，以幫助減少系統(tǒng)干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。本篇內(nèi)容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實情，以及它們帶
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立訊精密收購Qorvo在中國半導體封測工廠
- 北京時間12月19日，美國威訊聯(lián)合半導體有限公司(Qorvo)周一宣布，公司將把位于中國北京和山東德州的封裝和測試工廠出售給立訊精密。這筆交易已經(jīng)達成最終協(xié)議，但涉及的財務條款尚未披露，雙方預計這項交易將于2024年上半年完成。該交易完成之后，立訊精密將會擁有世界領先的功率放大器和濾波器產(chǎn)品的封裝測試能力，并且近一步強化其進軍半導體制造產(chǎn)業(yè)鏈的戰(zhàn)略。Qorvo主要設計、開發(fā)及生產(chǎn)“射頻”集成電路產(chǎn)品，是全球功率放大器和濾波器的主要供應商，該公司由RFMD和Triqunt兩家領先公司合并而成，在中國有北京和
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射頻芯片制造商威訊聯(lián)合半導體將兩家中國工廠出售給立訊精密
- IT之家 12 月 19 日消息，射頻芯片制造商美國威訊聯(lián)合半導體有限公司（Qorvo）宣布，與立訊精密建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并達成最終協(xié)議，向后者出售位于北京和山東德州的組裝和測試工廠，預計明年上半年完成交易。據(jù)IT之家了解，交易完成后，立訊精密將接管上述工廠的運營和資產(chǎn)，包括物業(yè)、廠房、設備與現(xiàn)有員工。威訊聯(lián)合半導體將保留在中國的銷售、工程和客戶支持員工，繼續(xù)為客戶提供服務。立訊精密將根據(jù)新簽訂的長期供應協(xié)議為威訊聯(lián)合半導體組裝和測試產(chǎn)品。威訊聯(lián)合半導體首席財務官格蘭特?布朗（Grant Br
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Qorvo將在CES 2024展示面向智能家居的連接、保護與電源技術(shù)
- 中國 北京，2023 年 12 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）宣布將在 CES? 2024（#CES2024）展示其最新的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能家居、5G、Wi-Fi、超寬帶（UWB）、觸控傳感器和電源產(chǎn)品。Qorvo 技術(shù)實現(xiàn)更快速、更便攜的連接，提供更大的數(shù)據(jù)容量和卓越的可靠性，適用于消費電子、通信、寬帶和汽車／電動車等各類應用。Qorvo 的完整連接解決方案將在 2024 年 1 月 9 日至 12 日在美國拉斯維加斯威尼斯人會展中心舉行的
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消除“間隙”：力敏傳感器如何推動新穎的HMI設計
- 我們掌握的信息越多，就越能做出更好的決策。如今，我們借助大量傳感器獲得數(shù)據(jù)，再利用應用軟件將這些數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為有價值的信息，更已成為有史以來掌握信息最豐富的人群。僅手機內(nèi)置的傳感器便能夠為我們傳遞大量信息：全球定位系統(tǒng)（GPS）接收器能以一米級的精度確定我們的位置——部分配備超寬帶（UWB）的新型手機定位精度可達厘米級；加速度計測量我們行進的速度；磁力計確定我們移動的方向；智能手表則增加了心率檢測功能，甚至可以識別房顫并測量血壓。此外，還有一些傳感器可以讓我們實現(xiàn)對設備的控制。人機界面（HMI）傳感器已經(jīng)存在
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面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術(shù)，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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『這個知識不太冷』探索5G射頻技術(shù)（上）
- 『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。接下來，我們談一談5G射頻?！哼@個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。接下來，我們談一談5G射頻。本文（上篇）將講解5G NR的部分技術(shù)方面，以便您能理解那些背后的技術(shù)。后續(xù)推送的下篇將介紹射頻前端（RFFE）背后的一些特征和技術(shù)。深入了解5G NR現(xiàn)在，您可能對5G已有基本認識
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帶寬的重要意義：5G頻譜
- 所謂 “頻譜”，是指特定類型的無線通信所在的射頻范圍。不同的無線技術(shù)使用不同的頻譜，因此互不干擾。由于一項技術(shù)的頻譜是有限的，因此頻譜空間存在大量競爭，并且人們也在不斷開發(fā)和增強全新的、高效率的頻譜使用方式。本文將介紹5G通信使用的第3代合作伙伴計劃組織（3GPP）全球頻譜。介紹5G 3GPP全球頻譜頻帶的帶寬越多，接收數(shù)據(jù)的量越大、速度越快。帶寬越多，下載大文件的用時越少。因此，移動網(wǎng)絡運營商和監(jiān)管機構(gòu)正在盡一切可能，重構(gòu)、獲取或共享頻譜資源。所謂“頻譜重構(gòu)”，是一種將一個現(xiàn)有應用所使用的頻譜轉(zhuǎn)移到新應
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Qorvo宣布推出業(yè)界最小的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)低壓發(fā)射模塊
- 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?近日宣布其不斷壯大的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)（C-IoT）發(fā)射模塊產(chǎn)品組合推出最新產(chǎn)品---QM55011。Qorvo 全新多頻段多模射頻前端（RFFE）模塊針對 NB-IoT1/2 和 LTE Cat-M1/2 3GPP 標準進行了優(yōu)化。其緊湊的 3 mm x 3 mm尺寸、2.5V 低工作電壓和多頻段支持使其成為智能電表、資產(chǎn)跟蹤與監(jiān)控、可穿戴設備及智能基礎設施等低壓應用的理想之選。QM55011 支持擴展的 NB-IoT 和 LTE-M 標準，提供低至 2.5V 的
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QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調(diào)節(jié)
- Charley Moser擁有EE博士學位，是我最早的模擬設計導師之一。從他那里，我學到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于穩(wěn)定性分析的Bode圖對最小相位系統(tǒng)的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設計緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調(diào)節(jié)低功率是最引人注目的創(chuàng)新；這對我來說極具價值，因為我是多家儀器公司帶電粒子光學方案中所用高壓電源設計領域的高手。他教我用接地基極高壓晶體管進行并聯(lián)調(diào)節(jié)，并通過運算放大器驅(qū)動發(fā)射極。晶體管的增益帶寬將在其fT下降低3dB。用低電壓
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給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？
- SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應電流和電壓，導致效率降低，組件受到應力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當大，須謹慎降低以保持低系統(tǒng)傳導損耗。 設定電流邊緣速率S
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貿(mào)澤電子開售支持智能家居和便攜式消費設備的Qorvo QM45639 Wi-Fi 7前端模塊
- 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Qorvo的QM45639 5 GHz至7 GHz Wi-Fi? 7前端模塊 (FEM)。Wi-Fi 7提供比6 GHz頻譜更寬的信道和容量增益，從而帶來巨大的吞吐量提升。Wi-Fi 7的峰值速率超過40 Gbps，比Wi-Fi 6E快4倍。QM45639 FEM可為游戲和工作環(huán)境中的個人電腦提供快如閃電的無線連接，并為客戶現(xiàn)場設備、智能家居設備、便攜式消費電子產(chǎn)品和可穿戴設備提供卓越的性能
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如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！
- SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙（WBG）半導體開關(guān)，如碳化硅共源共柵結(jié)構(gòu)FET（以下簡稱“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級的開關(guān)速度和較低的比導通電阻帶來非常低的損耗；在相同的芯片
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