oip 3d fabric 文章 進(jìn)入oip 3d fabric技術(shù)社區(qū)
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng),而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認(rèn)的
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場,此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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面對大陸攻勢 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
- 關(guān)鍵字: 東芝 3D NAND
2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

- DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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