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國(guó)際版Galaxy Note迎來(lái)178MB更新：增加畫(huà)中畫(huà)功能

  • 　　國(guó)際版Galaxy Note昨天正式收到了178MB的系統(tǒng)更新升級(jí)到了Android 4.0.4。此次更新提供了兩個(gè)新功能：可以使用"S Pen" 來(lái)做出相關(guān)的手勢(shì)來(lái)解鎖，和加入了Galaxy S III最吸引人的畫(huà)中畫(huà)模式。此次更新是繼兩個(gè)月前正式升級(jí)到ICS之后的第一次更新，三星稱(chēng)將不斷完善整個(gè)系統(tǒng)，對(duì)此外界猜測(cè)有可能三星將統(tǒng)一各個(gè)版本的Note更新，尤其是AT&T的LTE版本。目前這次更新已經(jīng)率先在德國(guó)開(kāi)始，并將在未來(lái)幾周內(nèi)向全球推出。 　　 ?
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傳下一代Galaxy Note將采用5.5寸屏

  • 　　 三星有可能發(fā)布下一代 Galaxy Note　　赫芬頓郵報(bào)(Huffington Post)在近日援引了韓國(guó)媒體MK Business Newspaper 的報(bào)道稱(chēng)，今年八月底在柏林舉辦的IFA 2012 會(huì)展上，三星(微博)有可能發(fā)布下一代 Galaxy Note。 ? 　　MK Business Newspaper稱(chēng)這則傳言來(lái)自一個(gè)可靠的消息源，爆料人相當(dāng)篤定地說(shuō) Galaxy Note 2將采用5.5寸的屏幕，至于其他的配置目前則尚未可知?？紤]到已發(fā)布的Galaxy S III
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氧化鋅壓敏電阻8/20μS脈沖電流下的伏安特性曲線(xiàn)分析

  • 1 引言 氧化鋅壓敏電阻器在8/20mu;S脈沖電流下的伏安特性，在以往有很多研究[1-4]，普遍認(rèn)為：壓敏電阻器在8/20mu;S脈沖電流下，電流峰值和電壓峰值不同時(shí)到達(dá)，電壓峰值早于電流峰值，上升沿的伏安特性曲線(xiàn)和下
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分10檔的20~200NS模擬延遲電路及原理分析

  • 電路的功能模擬信號(hào)的延遲大多采用BBD器件，可獲得數(shù)毫秒的延遲時(shí)間，但其S/N不好，應(yīng)用范圍受到限制。延遲時(shí)間較短時(shí)，也可使用同軸電纜，但必須占用較大空間，因此往往不太現(xiàn)實(shí)。本電路使用了集中電路網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的小
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通過(guò)4-20mA電流回路實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程3線(xiàn)RTD的溫度測(cè)量

  • 回路使用4-20mA電流傳遞器XTR112實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程3線(xiàn)RTD的溫度測(cè)量。此器件提供的2個(gè)匹配電流源用于RTD激勵(lì)及線(xiàn)性阻抗補(bǔ)償。內(nèi)置線(xiàn)性化電路提供 2 階修正項(xiàng)以修正RTD，從而實(shí)現(xiàn)了40:1的線(xiàn)性度改善。IR1作為RTD的激勵(lì)。IR2作為
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電壓-電流轉(zhuǎn)換電路--0~10V轉(zhuǎn)換成4~20MA

  • 電路的功能以電壓形式長(zhǎng)距離傳輸模擬信號(hào)時(shí)，信號(hào)源電阻或電纜的直流電阻會(huì)引起電壓衰減，信號(hào)接收端的輸入電阻越低，電壓衰減越大。為了提高傳輸精度，可采用電流環(huán)路——一種恒定電流輸出電路，把電壓變
  • 關(guān)鍵字： 10  20  MA  電壓    

隔離式電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--4~20MA轉(zhuǎn)換成10KHZ

  • 電路的功能雙線(xiàn)傳輸?shù)?~40MA模擬信號(hào)電流，若要單純地轉(zhuǎn)換成電壓，只用一個(gè)250歐的電阻就可轉(zhuǎn)換成1~5V的電壓。本電路用在高噪聲電路中可起到隔離作用，它把電流轉(zhuǎn)換成0~10KHZ的頻率，然后可廉價(jià)的光耦合器輸出，如再
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電流電-壓轉(zhuǎn)換電路--把4~20MA轉(zhuǎn)換成正負(fù)10伏

  • 電路的功能模擬信號(hào)接口過(guò)去一直選用4~20MA的電流環(huán)路，4MA為滿(mǎn)量程的0%、20MA為滿(mǎn)量程的100%把電流信號(hào)在輸入端轉(zhuǎn)換成電壓以后再進(jìn)行信號(hào)處理，本電路以12MA作為雙極的零點(diǎn)，把4~20MA的電流轉(zhuǎn)換成-10~+10V的電壓，該
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IS22C011/20語(yǔ)音芯片的原理及在MCS-51單片機(jī)中的應(yīng)用

  • IS22C011和IS22C020是ISSI公司推出的高品質(zhì)語(yǔ)音芯片，它們采用 ADPCM壓縮技術(shù)、POP減噪技術(shù)和最先進(jìn)的亞微米EPROM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了即時(shí)編程，并使用戶(hù)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)時(shí)間大為縮短。IS22C011／20可由多種開(kāi)發(fā)工具來(lái)支持，如IS
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采樣時(shí)間為20US的中速采樣和保持電路功能及原理分

  • 電路的功能所謂采樣和保持電路，就是以任意時(shí)間取出不斷變化的模擬信號(hào)，并將其電壓加以保持的電路，把該電路作為A-D變換器的前級(jí)，固定變換中的模擬電壓，取出瞬時(shí)值，這樣使用速度較低的A-D變換器，也能處理變化速
  • 關(guān)鍵字： 20  US  采樣時(shí)間  采樣    

增益為20DB的10MHZ寬帶放大器電路功能及原理

  • 電路的功能視頻放大器大多選用差動(dòng)輸入/差動(dòng)輸出的UA733。本電路是電流差動(dòng)式的寬帶放大器，高頻性能好，轉(zhuǎn)換速度為60V/US，GB積為300MHZ，可在IC外部設(shè)定工作條件。本電路也可用分立元件來(lái)代替，很容易獲得10MHZ的帶
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三星Note心臟 藍(lán)魔W21核心硬件拆解評(píng)測(cè)

  • 在近期的藍(lán)魔發(fā)布會(huì)上，全新設(shè)計(jì)的“幻”系列和“鉑”系列平板以靚麗出色的外形吸引了很多人的眼球，外觀的重大進(jìn)步似乎也讓很多人看到了藍(lán)魔發(fā)布會(huì)“進(jìn)化”主題的含義，然而，有不少人沒(méi)有注意到的是，除了盛大發(fā)布的諸多新品之外，還有一款型號(hào)為W21的平板也悄然出現(xiàn)，雖然并沒(méi)有高調(diào)亮相，但是這款平板的配置卻足以讓人熱血沸騰，它搭載了三星獵戶(hù)座雙核1.4GHz處理器，和三星Note采用同款芯片，搭載1GB內(nèi)存，采用IPS超大屏和“鉑”系列全新外觀，可以說(shuō)，從一定意義上來(lái)將這款產(chǎn)品才是“進(jìn)化”的真正含義，下面就讓我們揭開(kāi)這
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輸出大于20DB的600歐平衡驅(qū)動(dòng)前置放大器功能及工作

  • 電路的功能辦公用的音響設(shè)備由于各設(shè)備之間的距離很遠(yuǎn)，所以要使用很長(zhǎng)的平衡傳輸線(xiàn)，目的是消除外來(lái)噪聲。傳輸線(xiàn)阻抗通常取600歐，目的是驅(qū)動(dòng)60歐傳輸線(xiàn)，電平比較低時(shí)，用OP放大器就可以了。但是電源電壓為正負(fù)15V
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三星Galaxy Note詳拆解 大屏背后的秘密

  • 作為全球首款搭載5.3英寸HD Super AMOLED屏幕的平板手機(jī)，GALAXY Note有著華麗的顯示效果。不僅如此，GALAXY Note觸控屏手感流暢，機(jī)身響應(yīng)幾乎無(wú)延遲，還有一桿方便好用的手寫(xiě)筆S-Pen。如此，這款產(chǎn)品的一定有著非常強(qiáng)悍的硬件配備吧，其內(nèi)部會(huì)有著怎樣的構(gòu)造，才能保證高性能的同時(shí)還兼顧輕?。楷F(xiàn)在筆者就拆解給各位看。
  • 關(guān)鍵字： 三星  Galaxy  Note  5.3英寸  

研華推出新型COM-Ultra模塊

  • 作為全球嵌入式計(jì)算平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商、并提供跨越多個(gè)垂直市場(chǎng)的嵌入式平臺(tái)解決方案的研華公司，今日推出了一款基于Intel N455處理器的COM-Ultra模塊--SOM-7562 B1。這款采用Intel N455處理器的新型B1版本模塊作為升級(jí)產(chǎn)品，內(nèi)存技術(shù)由DDR2更新至DDR3，且具備更寬的溫度范圍(-40 ~ 85° C)，而其功耗僅為5 V的可選版本更是具備非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
  • 關(guān)鍵字： 研華  COM-Ultra  SOM-7562 B1  
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note 20 ultra介紹

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