nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

Spansion卷土重來，分析師眾說紛紜話前景

Spansion目前正準(zhǔn)備高調(diào)卷土重來，這次能否成功，抑或再次失??？分析師對(duì)Spansion的前景眾說紛紜。上個(gè)...
關(guān)鍵字： Spansion 半導(dǎo)體 NOR 閃存

華邦：NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

　　華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營運(yùn)都相當(dāng)樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動(dòng)的影響相對(duì)較小。　　華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場(chǎng)缺口約20%，華邦的優(yōu)勢(shì)在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對(duì)于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預(yù)計(jì)這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
關(guān)鍵字：華邦 NOR Flash

基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種能使FPGA的主狀態(tài)機(jī)直接管理Flash的控制器，該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
關(guān)鍵字： FPGA Flash K9F4G08

基于M25P32 SPI Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本文對(duì)VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動(dòng)過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進(jìn)行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實(shí)現(xiàn)方法。通過對(duì)TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實(shí)現(xiàn)方法，可以從更基礎(chǔ)的層面來認(rèn)識(shí)VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實(shí)現(xiàn)帶來新的方法。
關(guān)鍵字： M25P32 Flash TFFS SPI

Flash文件系統(tǒng)剖析

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash JFFS2 平均讀寫

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。　　完成收購恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
關(guān)鍵字：美光 DRAM NAND NOR

JFFS2 文件系統(tǒng)及新特性介紹

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： JFFS2 JFFS3 Flash

三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲(chǔ)顆粒

　　相變存儲(chǔ)技術(shù)看來終于要走出實(shí)驗(yàn)室，走向市場(chǎng)了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲(chǔ)芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品。　　相變存儲(chǔ)屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級(jí)NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲(chǔ)顆粒。由于相變存儲(chǔ)技術(shù)的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲(chǔ)速度。　　三星表示，多芯片封裝PRA
關(guān)鍵字： Numonyx 相變存儲(chǔ) NOR

抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費(fèi)35億美元打造，本應(yīng)于2
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器的擦寫方法

摘要：為避免在程序運(yùn)行時(shí)向單片機(jī)內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導(dǎo)致復(fù)位，采用調(diào)用鎖定與關(guān)鍵碼的操作方法對(duì)C2805lF35X型單片機(jī)的Flash進(jìn)行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
關(guān)鍵字：擦寫方法存儲(chǔ)器 Flash 單片機(jī) 內(nèi)部 C8051F35X

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 實(shí)現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲(chǔ) Nand

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
關(guān)鍵字：應(yīng)用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長(zhǎng)24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS320C6713B DSP Flash

富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá)，訪問時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。　　富士通表示，將以這項(xiàng)N
關(guān)鍵字：富士通 NOR 閃存

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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]