iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元,比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存,該公司的NAND市場份額猛增至45.9%,比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示,“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%,出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布,PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持,從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建,目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后,PISMO多媒體規(guī)范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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PISMO NOR NAND 閃存
在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后,各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升,同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響,NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格,力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露
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三星 NAND 閃存
NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因,除年底旺季需求增加外,最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故,導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份,由于廠商仍存在過度上漲,可能造成需求冷卻之疑慮。因此,即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電,生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉,但原本部份制造中的產品將廢棄?,F階段Samsung與市場上仍有一定庫存量,9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據閃存技術的最大支持者之一稱,閃存將“接管”整個世界。 本周三,SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說,一方面,NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經使1英寸硬盤失去了用武之地,現在,它又對1.8英寸,甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說,NAND下一個大市場將是視頻,明年,市場上將會出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年,市場上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內,NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND 閃存
2007年NAND Flash價格走勢戲劇化,但對下游廠商而言,可謂是幾家歡樂幾家愁,一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈,終止長達1年的慘淡經營時期;然對于產業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言,這波NAND Flash價格大漲的行情,反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限,當上游NAND Flash大廠供給一夕大減,連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時,等于是宣判小廠正式出局! 業(yè)界表示,這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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NAND 閃存 消費電子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名,南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%,穩(wěn)居全球龍頭寶座,日本東芝 (Toshiba)居次,海力士 (Hynix)位居第三;包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%,市場集中度高。集邦科技表示,第二季由于制造商暫緩產能擴充計劃,加上大廠們新制程技術轉換仍處調整期,因此整體NAND Flash位產出量僅維持與第一季相當水平,不過受惠于產品價格止跌大幅彈升1成以上水平,帶動NANDFlash制造廠銷售
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三星 NAND 閃存
NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型,強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統(tǒng)儲存(Code Storage),成本較低的NAND 則主要使用于數據儲存(Data Storage)方面,近來由于手機、數字相機、數字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛,帶動兩者銷售量持續(xù)成長,尤其NAND 在蘋果計算機推出的數字音樂播放機iPod 熱賣
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NAND 內存
閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過目前漲勢已經逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲,同時出貨量也大幅提升了。同時,NAND目前價格也呈現上升趨勢,這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據內存交易機構DRAMeXchange(集邦電子)的數據,在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上,不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND DRAM 閃存
集邦科技表示,手機及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產能最多的前兩大終端裝置,合計使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上,達52.1%,將是左右NAND Flash市場供需的關鍵。集邦科技指出,手機將是今年NAND Flash最大應用市場,所占比重達27.3%,MP3/PMP播放器次之,約占24.8%;其中MP3/PMP播放器市場,iPod全球市占率超過一半以上,Apple因而是影響市場供需的關鍵廠商。至于手機市場方面,由于NAND&n
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NAND 閃存 消費電子
NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散,從過去由數碼相機(DSC)獨霸應用端型態(tài),近期已轉變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面,3者合計占NAND Flash應用達80%,隨身碟應用則緊追在后;值得注意的是,自2007年第3季起,由于插卡式手機快速普及,使得手機占NAND Flash應用比重已正式超過MP3播放器。 目前NAND Flash應用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應用,其中,DSC、MP3播放器、手機等3項領域共占
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NAND 閃存 消費電子
根據內存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告,七月上旬NAND Flash合約價出爐;SLC市場供給吃緊、合約價大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據集邦的研究數據來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產出將供不應求。 在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產能轉往8Gb以上的產品,另外加上iPhone題材所帶來的預期心理,4Gb產出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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NAND 內存 存儲器
集邦科技最新報告指出,伴隨需求持穩(wěn)放大,加上DRAM、FLASH產能供給調整趨于平衡,NAND FLASH浮現供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報價,SLC大漲15%至30%之多%。集邦認為,依照當前掌握數據觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,Flash第二季初仍持續(xù)下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉換影響,五月份下旬價格才開始緩步
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NAND 閃存
NAND flash方面,由于iPhone內部使用的NAND flash顆粒是以三星(Samsung)的產品為主,所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右,而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右,到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同,則iPhone耗用NAND flash的數量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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iPhone NAND 閃存
NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報,造成供貨嚴重不足主因,除英特爾(Intel)為搶進50nm制程,決定既有采用78nm制程所生產NAND Flash將暫不供應下游客戶端,還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力,被迫將產能加速轉進至50nm主流制程,加上為供應蘋果(Apple)下半年龐大訂單,還必須挪出部分采70nm制程產能,在產能兩頭燒情況下,亦無力滿足下游客戶訂單需求,因此,業(yè)界紛預期2007年下半全球NA
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NAND 閃存
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [
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