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三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

  • 據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。  　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；  　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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51內(nèi)核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境

  • 　　摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應(yīng)的解決方案。     關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 　　在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
  • 關(guān)鍵字： MAX7651  AT89LV55  8XC51RA/RB/RC  ALL-07  Flash  四時鐘周期  MCU和嵌入式微處理器  

基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計

  • 本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
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AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)

  • 　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進(jìn)行匯編語言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進(jìn)行比較和分析。     關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 　　在無線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

  • 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場份額猛增

  • iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。     iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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一種新型單片機MSC1210及其應(yīng)用

  • 　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結(jié)構(gòu)特點，其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應(yīng)用等功能。     關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash     實際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進(jìn)行高精度的測量，同時還必須進(jìn)行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達(dá)33 MHz
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

  • 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了   MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升

  • 　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。  　　業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

  • 　NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚。  　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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NAND閃存迎來大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點

  • 據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。 　　他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。 　　在未來的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲 存儲卡小廠幾乎倒一半

  • 2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達(dá)1年的慘淡經(jīng)營時期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%

  • 　集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達(dá)85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平，不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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產(chǎn)業(yè)剖析：NAND FLASH市場發(fā)展

  • 　NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調(diào)可靠性的NOR 主要用途在于應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數(shù)據(jù)儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數(shù)字相機、數(shù)字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產(chǎn)品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續(xù)成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數(shù)字音樂播放機iPod 熱賣
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落

  • 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。  　　DRAM報價一片漲聲 　　根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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