mosfet-driver 文章 進入mosfet-driver技術社區(qū)
非常見問題第191期：負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現POL轉換需要特別注意穩(wěn)壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統——中使用的傳感器數量在穩(wěn)步倍增，導致需要更快的數
- 關鍵字： MOSFET
Diodes Incorporated 目標電動汽車產品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇，像是能量熱回
- 關鍵字： MOSFET
SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業(yè)
- 功率器件作為半導體產業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發(fā)展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。如今，在生產工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。作為半
- 關鍵字： MOSFET
提高遲滯，實現平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統、便攜式電池供電儀器儀表以及數據處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統故障。例如，當電源電壓低于規(guī)格要求時，數字系統可能性能不穩(wěn)定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
- 關鍵字： MOSFET
基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板，讓設計師實現用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器，可提供2 kW的功率和實現96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板，可在非常小的占板面積上實現 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯兩個轉換器可以實現4 kW的功率，或者并聯三個轉換器以實現6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
- 關鍵字： MOSFET
添加靈活的限流功能
- 問題：我可以根據負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見?？烧{限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調限流功能的精度通常不是很高。以
- 關鍵字： MOSFET
使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關效率和可靠性
- 在越來越多的應用中，對導通和關斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯網(IoT)的家電、智能開關和插頭、調光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時，浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
- 關鍵字： MOSFET
在單個封裝中提供完整的有源功率因數校正解決方案
- 源設計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱，并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真，則會引起電流諧波，從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網。如果要解決這些問題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
- 關鍵字： MOSFET
利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源
- 目前市面上出現了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
- 關鍵字： MOSFET
如何選擇合適的電路保護
- 問題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能，同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統為例，受其特性限制，無法進行創(chuàng)新。這些系統保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
- 關鍵字： MOSFET
東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨即將開始
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，已開始供應“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車應用的預驅IC（其中包括電動轉向助力系統和電氣制動器使用的無刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開始量產。TB9083FTG是一種3相預驅IC，能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車系統。這種新型IC內置三通道預驅，用于控制和
- 關鍵字： MOSFET
Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國電子網》評為2021年度Top 10電源產品獎獲獎產品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產品獎已連續(xù)舉辦十九屆，成為業(yè)內創(chuàng)新電源產品的標志性獎項。獲獎產品由工程師投票，經21IC編委會綜合技術創(chuàng)新、能效、應用開
- 關鍵字： MOSFET
mosfet-driver介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
mosfet-driver相關帖子
mosfet-driver資料下載
mosfet-driver專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473