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基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題，通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
  • 關(guān)鍵字： 電磁兼容  問(wèn)題  研究  脈沖  高壓  MOS  開(kāi)關(guān)  高頻  基于  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（三）

  • 相對(duì)通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
  • 關(guān)鍵字： MOS  驅(qū)動(dòng)電路  

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（二）

  • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
  • 關(guān)鍵字： MOS  

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（一）

  • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
  • 關(guān)鍵字： MOS  

TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關(guān)鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
  • 關(guān)鍵字： FET  

MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
  • 關(guān)鍵字： mos  

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： mos/開(kāi)關(guān)損耗  

CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
  • 關(guān)鍵字： 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計(jì)  MOS  開(kāi)關(guān)電源  

如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關(guān)鍵字： 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
  • 關(guān)鍵字： MOS-FET  開(kāi)關(guān)電路    
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mos-fet介紹

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