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“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度,更高的擊穿
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

  • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利,是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽(yáng)臺(tái)的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管(EPC2204), 用于其新型SolMate?綠色太陽(yáng)能陽(yáng)臺(tái)產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷,這對(duì)于要求嚴(yán)格的硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要,同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計(jì)顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案

  • RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù),有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性;但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天,有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢(shì)。我們將在下
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日本開(kāi)發(fā)新技術(shù),可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

  • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日,沖電氣工業(yè)株式會(huì)社(OKI)與信越化學(xué)合作,宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù),該技術(shù)使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術(shù),從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST(Qromis襯底技術(shù))基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注,尤其在1800
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1250V!PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限

  • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC,GaN的生成工藝相對(duì)成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封裝,因此非常適合在各種消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然,相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn),GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此,作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations(PI)創(chuàng)新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V,再次為GaN開(kāi)關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應(yīng)用中
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Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導(dǎo)通電阻可
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機(jī)外殼中,從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,包括電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、無(wú)人
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺(tái)灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國(guó)劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議,共同設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商,專注于各種應(yīng)用的電源和適配器,包括筆記本電腦、臺(tái)式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
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巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

  • 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加,從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器,到 LED 照明、白色家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對(duì)于這些離線反激式電源的設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性,同時(shí)繼續(xù)降低成本,提高效率,縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題,設(shè)計(jì)者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對(duì)散熱器的需求,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。然
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英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結(jié)束后,GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示,“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙,有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購(gòu)?GaN Syste
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵  

英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

  • 據(jù)英飛凌官微消息,英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結(jié)束后,GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日,英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布,雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,英飛凌將斥資8.3億美元收購(gòu)GaN Systems。這筆“全現(xiàn)金”收購(gòu)交易是使用現(xiàn)有的流動(dòng)
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羅姆GaN器件帶來(lái)顛覆性革命:體積減少99%,損耗降低55%

  • 引言如今,電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半,為了實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵,SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達(dá)8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn);2023 年3月,又確
  • 關(guān)鍵字: 202310  羅姆  GaN  

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè),致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前處于開(kāi)發(fā)階段)氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項(xiàng)專利,氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營(yíng)的上市公司,這意味著在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段,我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計(jì)、外延片材料、晶圓制程工藝,直至最終氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片。
  • 關(guān)鍵字: 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN)應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括:●? ?電動(dòng)汽車(EV):SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車,以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如,SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電,以減少功率損耗并提高效率?!? ?數(shù)據(jù)中心:SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源,以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本?!? ?可再生能
  • 關(guān)鍵字: 202310  SiC  GaN  安世半導(dǎo)體  

SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案,SiC和GaN器件提供更高的功率密度,具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊,但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(zhǎng),因此它有更多的選擇,例如,相比目前可用的GaN 解決方案,SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字: 202310  納芯微  SiC  GaN  
共330條 5/22 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

gan介紹

 GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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