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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領先的設計敏捷性

  • 　　全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產品組合。該寬帶PA模塊經過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
  • 關鍵字： MACOM  GaN  

GaN逐步向RF領域的發(fā)展之路

  • 目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現(xiàn)從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
  • 關鍵字： GaN  RF  

射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

  • 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 射頻  GaN  

盤點2018年全球電子產業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整個產業(yè)在技術上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產業(yè)也產生了眾多技術突破。
  • 關鍵字： 芯片，GaN  

第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢琒iC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！　嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
  • 關鍵字： 半導體  SiC  GaN  

QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領先優(yōu)勢

  • 　　移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業(yè)務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本。　　據 SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
  • 關鍵字： QORVO  GAN  

德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

  •     在多倫多一個飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設備?！　≡谀莻€雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新

  • 　　從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。　　硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據中心技術，功率都是一個至關重要的因素?！　　肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Behe
  • 關鍵字： GaN，機器人  

當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

  • 　　當今的半導體行業(yè)正在經歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化?　　哪些因素在推動變革?　　半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
  • 關鍵字： 射頻半導體  GaN  

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用

  • 　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

  •    SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。　　在現(xiàn)實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。　　比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
  • 關鍵字： SiC  GaN  

納微將在國際電力電子大會上發(fā)布GaNFast成果

  •     納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術及應用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進展推動業(yè)界實現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。     這些技術發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶
  • 關鍵字： GaN  電源  IC  

意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術

  • 　　橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器?！　”竞献黜椖康闹攸c是開發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN   

兩個指標讓GAN訓練更有效

  • 　　生成對抗網絡(GAN)是當今最流行的圖像生成方法之一，但評估和比較 GAN 產生的圖像卻極具挑戰(zhàn)性。之前許多針對 GAN 合成圖像的研究都只用了主觀視覺評估，一些定量標準直到最近才開始出現(xiàn)。本文認為現(xiàn)有指標不足以評估 GAN 模型，因此引入了兩個基于圖像分類的指標——GAN-train 和 GAN-test，分別對應 GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質量)。研究者還基于這兩個指標評估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著差異。上述評估指標表明，數(shù)據集復雜程度(從 CIFAR10 到
  • 關鍵字： GAN  

確定 GaN 產品可靠性的綜合方法

  • TI正在設計基于GaN原理的綜合質量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破性的全
  • 關鍵字： GaN  可靠性  綜合方法  
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gan介紹

　GaN 　　即氮化鎵，屬第三代半導體材料。 [ 查看詳細 ]

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