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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

砥礪前行,推進半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

  • 南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室,圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈,培養(yǎng)工程專業(yè)人才,搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺,建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標的多元化機制,致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然,在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
  • 關(guān)鍵字: 集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103  

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用

  • GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動力汽車中利用GaN實現(xiàn)雙電池管理

  • John Grabowski:安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師,部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體,此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計,應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近,他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化,汽車減排降油耗勢在必行。如今,許多國家/地區(qū)的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現(xiàn)這一目標,其中一種方式就是采用混合動力,即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
  • 關(guān)鍵字: GaN  48V  

第三代芯片徹底火了!45家公司實證涉足三代半導體

  • 延續(xù)9月4日以來的火熱行情,9月17日,A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁,雙良節(jié)能、易事特漲停,多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn),截至9月17日,已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務,或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家,其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務,或已出貨相關(guān)產(chǎn)品,但多數(shù)為小批量出貨,銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起,成為低迷震蕩行情下一道亮
  • 關(guān)鍵字: 第三代芯片  三代半導體  GaN  

采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級及隔離反激拓撲后級的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計

  • (?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù),在該公司今天同時發(fā)布的新設(shè)計范例報告 (?DER-920?) 中,展現(xiàn)了
  • 關(guān)鍵字: GaN  IC  PWM  

面向新基建的GaN技術(shù)

  • 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域,并對半導體電源設(shè)計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn),TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述:TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護功能,可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今,我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
  • 關(guān)鍵字: OBC  GaN  202009  

電源設(shè)計,進無止境

  • 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制:開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù),從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性,還是維持在高電壓下的安全性,我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI):與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率,從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
  • 關(guān)鍵字: QFN  EMI  GaN  MCM  

e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書,激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應用開發(fā)熱情

  • 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書,旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識,助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別,闡釋了人工智能、機器學習(ML)和深度學習(DL)之間的關(guān)系,并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞健D壳?,人?/li>
  • 關(guān)鍵字: TTS  STT  AIoT  CNN  RNN  GAN  

GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護,直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現(xiàn)此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關(guān)損耗、更佳
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

GaN 將能源效率推升至新高度

  • 德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計師采用這項新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計,致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設(shè)計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能,而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實施問題,使客戶得以設(shè)計高能效系統(tǒng),建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
  • 關(guān)鍵字: MOSEFT  GaN  UPS  

自有技術(shù)加持,安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用

  • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點,由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于......
  • 關(guān)鍵字: 安世  GaN  MOSFET  

新基建驅(qū)動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
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助力新基建,安世半導體升級GaN產(chǎn)品線

  • 近日,安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN(氮化鎵) FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源,用于機架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。 日前,安世半導體MOS業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年,安世半導體正式推出650V GaN MOSFET,采用級聯(lián)技術(shù),利用高壓GaN配合低壓
  • 關(guān)鍵字: 安世半導體  GaN  

Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

  • 半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝,TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導通性能,并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù),Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅(qū)動和控制,應用設(shè)計大為簡化;使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔,減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  
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