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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設(shè)計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動力汽車中利用GaN實現(xiàn)雙電池管理
- John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計，應(yīng)用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現(xiàn)這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
- 關(guān)鍵字： GaN 48V
第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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面向新基建的GaN技術(shù)
- 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導體電源設(shè)計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
- 關(guān)鍵字： OBC GaN 202009
電源設(shè)計，進無止境
- 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
- 關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM
e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識，助力他們更加順利地進行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場應(yīng)用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關(guān)系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
- 關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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