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艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
  • 關(guān)鍵字： 4GHz  CMOS  35  集成    

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈。　　瞬動(dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
  • 關(guān)鍵字： 研究  電路  CMOS  繼電器  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
  • 關(guān)鍵字： 流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種  

思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造

  • 　　7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
  • 關(guān)鍵字： 思比科  CMOS  

APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎(jiǎng)

  • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(huì)(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎(jiǎng)。
  • 關(guān)鍵字： Aptina  CMOS  

Silicon Labs廣播收音機(jī)IC出貨量突破十億顆

  • 　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機(jī)IC出貨量已達(dá)十億顆，締造了廣播音頻市場(chǎng)的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機(jī)芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)、個(gè)人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機(jī)、便攜式收音機(jī)、音響和許多其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。 　　Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機(jī)IC，Si4700 IC重構(gòu)了消
  • 關(guān)鍵字： Silicon-Labs  IC  CMOS  

CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

  • 目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
  • 關(guān)鍵字： Sensor  CMOS  調(diào)試  經(jīng)驗(yàn)    

“寬動(dòng)態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)標(biāo)配

  • 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個(gè)非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場(chǎng)合，發(fā)揮了重要的作用。寬動(dòng)...
  • 關(guān)鍵字： 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)  CCD+DSP  CMOS+DPS  

CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  振蕩器  CMOS  

標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對(duì)納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對(duì)那些不了解
  • 關(guān)鍵字： 納米  CMOS  

高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對(duì)俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  CMOS  

SuVolta全新CMOS平臺(tái)有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺(tái)。該平臺(tái)可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  
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