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FLIR Ex系列熱像儀:性價(jià)比之王,為卓越而生

熱像儀設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的世界領(lǐng)導(dǎo)者FLIR Systems重磅推出超性價(jià)比之選——FLIR Ex系列熱像儀，最低售價(jià)僅為8800元。秉承FLIR功能豐富、價(jià)格實(shí)惠的理念，F(xiàn)LIR Ex為滿足更好的客戶體驗(yàn)為己任，以鍛造更卓越的產(chǎn)品品質(zhì)為宗旨，開(kāi)創(chuàng)性的產(chǎn)品改良為工作和生活帶來(lái)更多可能。FLIR Ex，性價(jià)比之王，為卓越而生。
關(guān)鍵字： FLIR 熱像儀

高清監(jiān)控需要哪些支持　　在攝像領(lǐng)域中，CCD與CMOS 的爭(zhēng)鋒似乎不亞于一場(chǎng)艱難的阻擊戰(zhàn)，對(duì)方每一個(gè)薄弱的環(huán)節(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS 傳感器 CCD

2013年11月13日——奧地利微電子公司(SIX股票代碼：AMS)晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布將于2014年向用戶推出快速、低成本的IC原型設(shè)計(jì)服務(wù)，該項(xiàng)目被稱為多項(xiàng)目晶圓(MPW)。多項(xiàng)目原型設(shè)計(jì)將不同客戶的多種設(shè)計(jì)需求融入單片晶圓設(shè)計(jì)中，由于晶圓的制造費(fèi)用由眾多客戶均攤，因此該項(xiàng)服務(wù)將幫助晶圓代工客戶有效降低生產(chǎn)成本。
關(guān)鍵字：奧地利微電子晶圓 CMOS

　　在中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)，CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)正硝煙彌漫?，F(xiàn)在的中國(guó)，低價(jià)手機(jī)也至少配備了800萬(wàn)像素的傳感器，對(duì)CMOS的需求持續(xù)上漲?？梢宰⒁獾降氖?，主要生產(chǎn)企業(yè)都紛紛加大當(dāng)?shù)厣a(chǎn)能力，并專門制定對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的戰(zhàn)略。　　今年中國(guó)智能手機(jī)出貨量比去年增長(zhǎng)了56%，預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到約3億2000萬(wàn)臺(tái)，占世界總量的30%。除去中國(guó)一線城市，其他城市的主流手機(jī)仍然是從1000到2000元左右的低價(jià)手機(jī)。產(chǎn)品價(jià)格低，那么上面搭載的原件價(jià)格也低。　　據(jù)此，CMOS傳感器預(yù)計(jì)中國(guó)需
關(guān)鍵字：智能手機(jī) CMOS 傳感器

描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調(diào)、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運(yùn) ...
關(guān)鍵字：雙通道四通道 CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6084

MAX44265運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流，如手機(jī)，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供 ...
關(guān)鍵字： MAX44265 低功耗關(guān)斷模式 CMOS 運(yùn)算放大器

2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
關(guān)鍵字： Vishay CMOS 導(dǎo)通電阻

　　新計(jì)劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項(xiàng)目：第1個(gè)領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個(gè)領(lǐng)域是分子級(jí)精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級(jí)尺度上開(kāi)發(fā)制造工藝。該研究計(jì)劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來(lái)多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計(jì)劃將為第1階段研究投資225萬(wàn)美元。- 　　麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 CMOS

該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測(cè)器結(jié)電容 ...
關(guān)鍵字： RGC CMOS 前置放大器

設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
關(guān)鍵字：增益高速 CMOS 運(yùn)算放大器

新日本無(wú)線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：新日本 CMOS 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)

　　目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。　　1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
關(guān)鍵字： CMOS 電阻

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： CMOS LCVCO 電感射頻開(kāi)關(guān) PVT 鎖相環(huán)