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什么是dV/dt失效

- 如下圖(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導通,從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內(nèi)的電壓變化量,VDS的上升坡度
- 關鍵字: 羅姆半導體 dv dt
關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

- 王定良(電子科技大學 電子科學與工程學院,四川 成都 610054) 摘? 要:作為電機驅動電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來越重要,但是越來越快的開關速度,可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型,完善傳統(tǒng)公式的推導?;趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構,改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?! £P鍵詞:IGBT;
- 關鍵字: 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
深度解讀阿里云六年成長歷程:向DT世界轉型

- 6年前,云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天,阿里云已成長為全球領先的云計算服務平臺,開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術等方向的判斷。 7月22日,首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開,吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上,阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護倡議,明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有,平臺方不得移作它用。
- 關鍵字: 阿里云 DT
DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹
- 6月9日,據(jù)國外媒體報道,知情人士透露稱,蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡,同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式,此舉旨在提升該公司在云領域的競爭實力,從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領域展開更好的競爭。 目前為止,蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡供應商和技術供應商來支持該公司的消費者服務,例如iTune音樂和電影服務、iCloud存儲圖片和其它內(nèi)容服務、以及Siri語音助手服務。未來一段時間,蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務和產(chǎn)品供應商,因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎設施。 據(jù)知
- 關鍵字: 蘋果 DT
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