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EEPW首頁 >> 主題列表 >> dt-5tg

什么是dV/dt失效

  • 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
  • 關鍵字： 羅姆半導體  dv  dt  

關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！　￡P鍵詞：IGBT；
  • 關鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包
  • 關鍵字： DT  DV  DL  電壓突變  

如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（上）

  • 高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來實施。
  • 關鍵字： di/dt  德州儀器  電源設計小貼士  電源管理  

深度解讀阿里云六年成長歷程：向DT世界轉型

  • 　　6年前，云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領先的云計算服務平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術等方向的判斷。 　　7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開，吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上，阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護倡議，明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有，平臺方不得移作它用。
  • 關鍵字： 阿里云  DT  

DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹

  • 　　6月9日，據(jù)國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡，同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領域展開更好的競爭。 　　目前為止，蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡供應商和技術供應商來支持該公司的消費者服務，例如iTune音樂和電影服務、iCloud存儲圖片和其它內(nèi)容服務、以及Siri語音助手服務。未來一段時間，蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務和產(chǎn)品供應商，因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎設施。 　　據(jù)知
  • 關鍵字： 蘋果  DT  

阿里巴巴全球布局數(shù)據(jù)中心 謀DT時代戰(zhàn)略

  • 雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災難性的事故了。
  • 關鍵字： 阿里巴巴  DT  

數(shù)位儀表設計-HY12P65簡化可攜式電量測量設計

  • 　　一、?前言　　在可攜式電量測量設備中，常見有數(shù)位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉換量測。平均值轉換的電量測量設備并非真正測量方均根值，而是以正弦波交流信號，做信號平均值測量，校正所得到的量值。對于非正弦波而言，可能會有相當程度的誤差。因此很
  • 關鍵字： HY12P65  SDADC  DT-RMS  

探索諾基亞無線充電支架DT-910的內(nèi)部結構

  • 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產(chǎn)品的一級外配。...
  • 關鍵字： DT-910  無線充電  諾基亞  

晶閘管燒壞的真實原因解析

  • 摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
    關鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關斷時間

    晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
  • 關鍵字： 晶閘管  dv／dt  di／dt  開通時間  關斷時間  

可控硅dIT/dt測試線路的設計與測量

  • 摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數(shù)，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結果，與該產(chǎn)品說明書的值一致?？蓱糜谘邪l(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
  • 關鍵字： 測試  可控硅  dIT/dt  201208  

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

  • 在工業(yè)、汽車和航空電子應用中，經(jīng)常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統(tǒng)中，負載階躍 (負載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴重的瞬變。
  • 關鍵字： 凌力爾特  電阻器  dI/dt  

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關： 信號傳播的整個路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發(fā)轉
  • 關鍵字： DV  DT  電壓突變  電流突變    

超頻引擎實力爆發(fā) 精靈雷神DT深度拆解

  • 　　對于游戲玩家，一款游戲鼠標最重要的是舒適和適合;而對于發(fā)燒友來說，不把鼠標拆開來細細研究一下，不能滿足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標，其配備可調(diào)配重和宏編程鍵，采用可調(diào)DPI 100-5700MHz的SCGii超頻引擎。今天筆者耐不住好奇心，決定把雷神DT拆解來一探究竟。我們一起來看看這款游戲鼠標的內(nèi)部結構。 ? 　　精靈雷神系列——精靈雷神系列產(chǎn)品是精靈專為游戲玩家設計的游戲外設，該系列包括雷神K7、雷神K9、雷神M1等專業(yè)游戲鍵盤和
  • 關鍵字： 游戲鼠標  精靈雷神  DT  

高di/dt負載瞬態(tài)的電源及其分配系統(tǒng)設計

  • 就許多中央處理器(CPU)而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當處理器變換工作模式的時候。例如，在1V的系統(tǒng)中，100A/uS負載瞬態(tài)可能會要求將電源電壓穩(wěn)定在3%以內(nèi)。解決這一問題的關鍵就是
  • 關鍵字： di  dt  負載瞬態(tài)  電源    
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