di／dt 文章進(jìn)入di／dt技術(shù)社區(qū)

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 dv dt

Limata創(chuàng)新型的LUVIR技術(shù)加速PCB防焊量產(chǎn)制程

專業(yè)LDI設(shè)備制造商Limata日前正式發(fā)布其獨(dú)有的、經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證的適用于所有X系列產(chǎn)品的LUVIR技術(shù)?。此獨(dú)特的LDI技術(shù)在降低設(shè)備維護(hù)成本的同時(shí)，能顯著提高防焊油墨的成像速度。創(chuàng)新的技術(shù)降低了成像需求UV光的能量，同時(shí)帶來成像速度的提升在PCB制造制程中，防焊油墨的成像品質(zhì)一直受到不斷提升的對(duì)位精度和成像精度要求的挑戰(zhàn)。相對(duì)于干膜成像，防焊油墨的成像需要更高的UV能量。因此市場(chǎng)上多波長(zhǎng)DI的解決方案（多波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于UV光波段）對(duì)高產(chǎn)出的需求而言太慢，生產(chǎn)廠家的成本也更高（更多的成像單元或更多機(jī)臺(tái)需求）
關(guān)鍵字： UV IR DI

歐司朗第三財(cái)季危機(jī)管理取得成效，有信心實(shí)現(xiàn)財(cái)年預(yù)期

通過在全球?qū)用娌扇∥C(jī)管理等應(yīng)對(duì)措施，歐司朗在第三財(cái)季有效降低了疫情影響。歐司朗第三財(cái)季營(yíng)業(yè)收入為6.06億歐元，在一年內(nèi)可比基礎(chǔ)上下降29.4%，但與行業(yè)主要銷售市場(chǎng)相比，表現(xiàn)好于預(yù)期?？鄢厥忭?xiàng)目前，稅息折舊及攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為負(fù)2,700萬歐元，遠(yuǎn)高于預(yù)期。其中，汽車業(yè)務(wù)（AM）受疫情沖擊最嚴(yán)重，而光電半導(dǎo)體業(yè)務(wù)（OS）則有著良好表現(xiàn)，與預(yù)期相符。由于資金流動(dòng)性的有效管理，全公司的自由現(xiàn)金流控制在負(fù)700萬歐元。-? ?受疫情沖擊營(yíng)業(yè)收入下降，仍優(yōu)于行業(yè)整體表現(xiàn)-&nb
關(guān)鍵字： OS AM DI

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對(duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包
關(guān)鍵字： DT DV DL 電壓突變

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非常靠近負(fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來實(shí)施。
關(guān)鍵字： di/dt 德州儀器電源設(shè)計(jì)小貼士電源管理

德國(guó)慕尼黑電子展的三大主旋律：創(chuàng)新，安全，無線

作者/ 王瑩 ? 電子產(chǎn)品世界編輯創(chuàng)新　　德國(guó)慕尼黑，11月7日，《電子產(chǎn)品世界》編輯第一次來到了慕名已久的electronica(慕尼黑電子展)。11月7日晚，創(chuàng)新設(shè)計(jì)家兼未來學(xué)家Vto Di Bari教授在electronia組委會(huì)舉辦的官方歡迎晚宴上做了“明天可連接世界中的一天生活”的主題演講。　　人們認(rèn)識(shí)事物通常是1個(gè)H和5個(gè)W，即怎樣(How)、何時(shí)(When)、為什么(Why)、什么(what)、哪里(where)和誰(who)。我們可以假設(shè)一個(gè)動(dòng)物在自然界如何捕食其他動(dòng)物，然后再推
關(guān)鍵字：德國(guó)慕尼黑 Vto Di Bari NXP CEO Rick Clemmer 201612

深度解讀阿里云六年成長(zhǎng)歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

　　6年前，云計(jì)算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長(zhǎng)為全球領(lǐng)先的云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)，開始分享對(duì)于DT世界、云計(jì)算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護(hù)以及未來核心技術(shù)等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會(huì)北京峰會(huì)召開，吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會(huì)上，阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個(gè)行業(yè)解決方案;向企業(yè)級(jí)用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)解決方案;首次披露云計(jì)算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護(hù)倡議，明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有，平臺(tái)方不得移作它用。
關(guān)鍵字：阿里云 DT

DT大蛋糕蘋果能否分得一杯羹

　　6月9日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)還在升級(jí)自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，從而進(jìn)一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對(duì)手在云服務(wù)領(lǐng)域展開更好的競(jìng)爭(zhēng)。　　目前為止，蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商和技術(shù)供應(yīng)商來支持該公司的消費(fèi)者服務(wù)，例如iTune音樂和電影服務(wù)、iCloud存儲(chǔ)圖片和其它內(nèi)容服務(wù)、以及Siri語音助手服務(wù)。未來一段時(shí)間，蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務(wù)和產(chǎn)品供應(yīng)商，因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當(dāng)前的基礎(chǔ)設(shè)施。　　據(jù)知
關(guān)鍵字：蘋果 DT

阿里巴巴全球布局?jǐn)?shù)據(jù)中心謀DT時(shí)代戰(zhàn)略

雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機(jī)一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯(cuò)機(jī)制？阿里快長(zhǎng)點(diǎn)心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災(zāi)難性的事故了。
關(guān)鍵字：阿里巴巴 DT

數(shù)位儀表設(shè)計(jì)-HY12P65簡(jiǎn)化可攜式電量測(cè)量設(shè)計(jì)

　　一、?前言　　在可攜式電量測(cè)量設(shè)備中，常見有數(shù)位式復(fù)用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來測(cè)量出電量中的電壓及電流，電量訊號(hào)又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉(zhuǎn)換量測(cè)。平均值轉(zhuǎn)換的電量測(cè)量設(shè)備并非真正測(cè)量方均根值，而是以正弦波交流信號(hào)，做信號(hào)平均值測(cè)量，校正所得到的量值。對(duì)于非正弦波而言，可能會(huì)有相當(dāng)程度的誤差。因此很
關(guān)鍵字： HY12P65 SDADC DT-RMS

探索諾基亞無線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機(jī)圖，請(qǐng)大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個(gè)旗艦產(chǎn)品的一級(jí)外配。...
關(guān)鍵字： DT-910 無線充電諾基亞

晶閘管燒壞的真實(shí)原因解析

摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實(shí)原因，解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
關(guān)鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間

晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
關(guān)鍵字：晶閘管 dv／dt di／dt 開通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間

可控硅dIT/dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)與測(cè)量

摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，過高的dIT/dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效，故設(shè)計(jì)一個(gè)能準(zhǔn)確測(cè)量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)潔的測(cè)量可控硅dIT/dt的測(cè)試電路，并介紹了它的測(cè)試原理與測(cè)試方法，且測(cè)量了市場(chǎng)上的BTA208-600B，得出了測(cè)試結(jié)果，與該產(chǎn)品說明書的值一致?？蓱?yīng)用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測(cè)試可控硅。
關(guān)鍵字：測(cè)試可控硅 dIT/dt 201208

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

在工業(yè)、汽車和航空電子應(yīng)用中，經(jīng)常會(huì)遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場(chǎng)合還需要在此過程中可靠地運(yùn)作。在那些通過長(zhǎng)導(dǎo)線供電的系統(tǒng)中，負(fù)載階躍 (負(fù)載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴(yán)重的瞬變。
關(guān)鍵字：凌力爾特電阻器 dI/dt