- 臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有 沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開始，就半導體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標尋找差距。口號是“為什么韓國能，臺灣不能？”
通過分析與比較，臺灣在半導體產業(yè)中的目標是：1) 總產值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。
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- 30年來全球最嚴重的金融風暴來臨，與2000年時網絡泡沫破裂不同，此次涉及到全球范圍，包括美，日，英，德等幾乎無一能幸免。而且風暴延續(xù)多久目前尚難定論。
對于半導體業(yè)的影響有兩點己經達成共識：今年感恩、圣誕和元旦新年節(jié)前的旺季不旺以及明年上半年半導體業(yè)將繼續(xù)走軟。
分析內因主要仍是存儲器的供過于求，導致價格繼續(xù)下跌。近期的全球金融危機影響，又使資金緊縮及消費者信心指數(shù)下降，導致庫存問題進一步惡化。
分析外部原因，由于全球經濟大環(huán)境的惡化造成產業(yè)界的心理恐慌，在此背景下很難作出正確判斷，
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- 自動化和控制技術、計量、機器人以及安全領域的工業(yè)應用對所用內存組件及模塊的要求與標準PC或辦公應用有所不同。多數(shù)情況下，這些領域的重點并不是基于最新工藝技術的終極性能，而是最高的可靠性、緊湊性、質量和低功耗，同時還有較長的產品周期和相關的供貨保證。
到目前為止，標準PC中所用的DRAM內存構件一直符合摩爾定律：存儲容量大約每24個月翻一番，而模塊的工作頻率越來越快。在迅速變遷的市場中，要想組件成本呈指數(shù)級下降以及性能（容量與速度）呈指數(shù)級上升，就必須這樣。由于PC平均壽命約為四年，因此這還意味著
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- 當?shù)貢r間本周二，世界貿易組織爭議解決團隊表示，將成立了一個檢查小組，對日本政府是否遵從早期世界貿易組織宣布的取消對韓國DRAM儲存芯片征收關稅的決定進行檢查。
2007年11月世界貿易組織爭議解決團隊宣布決定稱，對韓國出口到日本的DRAM儲存芯片，日本必須取消其征收27.2%的反補貼關稅。
征收反補貼關稅的案例源于2002年，全球第二大儲存芯片制造商韓國現(xiàn)代半導體公司與日本爾必達儲存公司、美國美光科技公司在全球儲存產品市場進行著激烈的競爭，競爭者抱怨韓國政府向現(xiàn)代半導體提供補貼阻礙了市場的
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- 據(jù)國外媒體報道，來自芯片在線交易網站DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，在過去兩周時間內，主流DRAM芯片的合同價格跌幅逼近18%，創(chuàng)新的歷史紀錄。
DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，在9月份下半月里，伴隨著芯片廠商和PC廠商之間的討價還價，DRAM芯片的平均合同價跌至1.44美元，而在9月份上半月，DRAM芯片平均合同價為1.75美元。
分析人士指出，當前DRAM芯片業(yè)界出現(xiàn)大幅度價格下滑，與之前存儲芯片廠商盲目上馬生產線關系密切，從而造成業(yè)內廠商間的價格打壓、帶來惡性競爭。
在微
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- 據(jù)國外媒體報道，一部分DRAM內存制造商在上周削減產量，希望減少供貨能刺激內存價格復蘇，但分析師指出，降價行動太少，時間也太晚了。
隨著上周DRAM價格跳水至新低，日本的Elpida公司和中國臺灣的Powerchip半導體公司在上周都削減了產量。然而，雖然減產放緩了DRAM價格下跌的速度，但它們無法阻止市場整體下滑。
分析師指出，由于內存芯片供過于求，DRAM制造商整個一年都免不了麻煩。由于預期隨新電腦銷售和微軟Vista操作系統(tǒng)推出后DRAM需求會增加，去年它們建設了太多的新工廠，然而事
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- 世界經濟蕭條和半導體價格下跌讓全球半導體市場陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著產業(yè)結構進入重新洗牌階段，半導體價格已跌至谷底。
半導體產業(yè)的危機已達到頂點
最近，半導體行業(yè)面臨著前所未有的危機。尤其是在DRAM行業(yè)，今年除三星電子之外，其他企業(yè)都在虧損。NAND閃謺行業(yè)的情況也是一樣。除三星電子之外，生產NAND閃存（主要用于
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- 即將投入建設的蘇州12英寸半導體項目十足吊夠了人們的胃口。
先是業(yè)界的傳言不斷以及各方矢口否認，接著是更大范圍的傳聞與否認；一直到8月中旬，日本半導體制造大廠爾必達的一則新聞稿終于為這起投資案做出定論——項目總耗資達50億美元，由爾必達、蘇州創(chuàng)業(yè)集團以及另一方合作伙伴成立合資企業(yè)進行運營。
讓人意想不到的是，即便在爾必達公開發(fā)布了合資消息，有關方面對于項目合作的諸多事宜仍然諱莫如深。圍繞項目的建立，三大疑問仍然待解：蘇州芯片項目“另一方合作伙伴&rdqu
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- 世界經濟蕭條和半導體價格下跌讓全球半導體市場陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著產業(yè)結構進入重新洗牌階段，半導體價格已跌至谷底。
半導體產業(yè)的危機已達到頂點
最近，半導體行業(yè)面臨著前所未有的危機。尤其
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- 據(jù)道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。
兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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- 奇夢達公司與專精于高速內存架構的全球領先的技術授權公司Rambus共同宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION 3（PS3）計算機娛樂系統(tǒng)量產出貨XDR DRAM.
奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已于2008年1月開始出貨。 XDR內存解決方案拓展了奇夢達的利基型內存（specialty RAM portfolio）產品布局，能滿足全球快速成長的計算機和消費電子產品市場對高效能及高頻寬的應用需求。
XDR內存架構能支持高容量且具有成本競爭力的應用。奇夢達XDR DRAM
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- 臺灣力晶半導體表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設備安裝。
綜合外電8月27日報道，力晶半導體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設備安裝。以收入計，力晶半導體是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）晶片生產商。
力晶半導體原計劃于2009年第三季度臺灣北部新竹的兩家工廠建設完工后開始安裝新設備。
譚仲民稱，由于市場狀況較差，目前看來公司可能會在2009年第四季度或2010年年初開始安裝設
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- 當?shù)貢r間本周五，路透社披露消息稱，日本計劃削減韓國儲存芯片廠商現(xiàn)代半導體在日本銷售DRAM芯片征收反補貼關稅。
媒體援引日本經濟、貿易和工業(yè)部提供的消息報道說，日本收取的進口反補貼關稅將從最初的27.2%削減為9.1%。
數(shù)年來，美國、歐盟和日本以儲存芯片競爭者提出抱怨為理由，對現(xiàn)代半導體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關稅。抱怨者聲稱韓國政府向現(xiàn)代半導體提供了不公平的補貼，制約了市場的公平競爭。
今年三月，歐盟委員會正式采納了一項決定，取消進口現(xiàn)代半導體DRAM儲存芯片的反補貼關
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- 受半導體銷售增長放緩的影響，全球半導體投資緊縮。
據(jù)美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)的消息，由于內存IC產業(yè)的拖累，預計2008年半導體銷售增長放緩，但整體半導體銷售額將在2011年以前保持強勁增長。
市場調研機構Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經濟低迷和DRAM芯片市場拖累，預計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%，達475億美元。預計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29。Gartner還稱，預計今年全球用于芯片設備制造開支將減
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- 新華網首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產品銷量位列全球第一。
三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。
韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。
三星的成功主要源自NAND閃存產品的暢銷，第二季度該類產品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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