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Diodes推出低功耗高頻頭電源管理及控制集成電路系列

  • 　　Diodes公司推出新型的低功耗高頻頭(Low Noise Block，簡稱LNB)電源管理及控制集成電路系列，適用于機頂盒、內(nèi)置衛(wèi)星調(diào)頻器的電視，以及計算機衛(wèi)星調(diào)諧器卡等不同產(chǎn)品。全新ZLPM8000系列以提升產(chǎn)品效率和可靠性為設(shè)計原則，務(wù)求為制造商帶來所需的靈活性，迎合全球衛(wèi)星電視標(biāo)準(zhǔn)的要求。 　　三款率先面世的單輸出器件包括：高電流ZLPM8010(750mA)及低電流 ZLPM8011(450mA)，兩者均功能完備，支持DiSEqC 1與DiSEqC 2標(biāo)準(zhǔn);而低電流ZLPM8012(450
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Diodes微型過壓鉗有效保護便攜式設(shè)備

  • 　　Diodes公司推出AP9060過壓鉗位器，用以保護便攜式應(yīng)用中的電源管理集成電路 (PMIC)。該產(chǎn)品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封裝，適用于最新一代的電池供電產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦及超迷你筆記本電腦。 　　該新器件能支持很寬的3V至30V的充電器輸出電壓，把通至PMIC的電壓限制在安全的11V鉗位電壓之內(nèi)。AP9060通過反饋回路控制一個MOSFET開關(guān)，有效地維持鉗位電壓水平。該器件使用超低的偏置電流，將自身發(fā)熱量降至最低，從而提升產(chǎn)品的可靠性。
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Diodes新型綜合繼電器驅(qū)動器優(yōu)化電感性負(fù)載控制

  • Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105綜合繼電器驅(qū)動器 (Integrated Relay Driver) ，通過把一個完整的固態(tài)繼電器驅(qū)動器整合于單一的表面貼面封裝，可以盡可能地減少印刷電路板的占板面積、削減組件數(shù)量，并改善電感性負(fù)載控制電路的可靠性。
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Diodes推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動器

  • Diodes公司推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動器，僅需兩個外加組件，就可以為設(shè)計人員簡化汽車內(nèi)部、指示牌及一般照明控制電路。這款占位小、采用SOT26封裝的器件，把一個100V額定N通道MOSFET集成于一個經(jīng)過預(yù)先偏置的NPN晶體管，能驅(qū)動由多達三十個20mA至350mA低功率串聯(lián)LED組成的鏈路。
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Diodes推出微型高速開關(guān)二極管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關(guān)二極管，有助大幅降低器件數(shù)量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes推出微型高速開關(guān)二極管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關(guān)二極管，有助大幅降低器件數(shù)量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
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MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
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Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes負(fù)載開關(guān)提升HDMI端口保護功能

  • Diodes公司推出AP2331單信道限流負(fù)載開關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護功能而優(yōu)化設(shè)計，適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負(fù)載和可能受短路影響的應(yīng)用。
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Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。
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Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設(shè)計

  • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ，額定電流為12A，以超薄型PowerDI-5SP封裝，為生產(chǎn)新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商，解除設(shè)計和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
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Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設(shè)計節(jié)省成本

  • Diodes公司針對單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
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DIODES在成都高新區(qū)設(shè)立封裝測試生產(chǎn)基地

  • 　　達爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產(chǎn)基地奠基。達邇科技(成都)有限公司，是由美商達爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。 　　
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