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DRAM大廠:Q3產品價格可望回穩(wěn)?

- 6月5日,DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元,月增加2.17%、年減少62.74%,仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元,年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經理提到,DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經理認為,以今年整體狀況而言,DRAM需求成長率可能低于長期平均值,但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件,未來各種消費型智能電子產品的推陳出新,加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
- 關鍵字: DRAM TrendForce
韓媒:三星已組建開發(fā)團隊,以量產4F2結構DRAM
- 5月26日,韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱,三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊,以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度,方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限,增加DRAM制造的效率。報道稱,如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功,在不改變節(jié)點的情況下,與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比,芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術,據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認為,與SK海力士和美
- 關鍵字: 三星 4F2結構 DRAM
不改變工藝讓芯片面積減少 30%,三星組建團隊開發(fā) 4F2 DRAM

- IT之家 5 月 26 日消息,根據(jù)韓媒 The Elec 報道,三星組建了一支專業(yè)的團隊,負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別,在不改變工藝節(jié)點的情況下,芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術,DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化,但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊,研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉,晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統(tǒng)。在漏極(D)上方安裝一個
- 關鍵字: 三星 DRAM
DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%,連續(xù)三個季度衰退

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,今年第一季DRAM產業(yè)營收約96.6億美元,環(huán)比下降21.2%,已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升,其余均衰退;平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善,價格依舊續(xù)跌,然而在原廠陸續(xù)減產后,DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季,雖出貨量增加,但因價格跌幅仍深,預期營收成長幅度有限。營收方面,三大原廠營收均下滑,三星(Samsung)自家品牌的新機備貨訂單有限,出貨量與平均銷售單價(ASP)同步下跌,營收約41.7億美元,環(huán)比下降24.7%。
- 關鍵字: DRAM TrendForce
需求好轉?兩家存儲廠商部分應用領域出現(xiàn)急單

- 受消費電子市場需求疲弱影響,存儲產業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”,加上今年一季度為市場淡季,供過于求關系下,產業(yè)庫存高企。第二季度存儲產業(yè)市況如何?未來是否將有所好轉?近期,南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科:庫存逐步去化,部分應用領域已出現(xiàn)急單近期,媒體報道,DRAM廠商南亞科表示,今年一季度是產業(yè)庫存高點,在需求與供應端改善下,庫存正逐步去化,預期本季DRAM市況有望落底,公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應用需求趨勢,南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產品,在技術推進上,20納米產品
- 關鍵字: 存儲廠商 DRAM
三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產

- 今日,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝,再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術,三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效,"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示,"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求,提供高性能和高容量的產品,而且還將通過商業(yè)化的下一代
- 關鍵字: 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

- 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內存)——HBM3*的技術界限,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產品?!?“最近隨著人工智能聊天機器人(AI Chatbot)產業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
- 關鍵字: SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
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