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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時簡化設計

  • 目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為15
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  肖特基二極管  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

技術洞察 | 英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?產(chǎn)品，升級電源和機架架構(gòu)，滿足AI服務器的需求

  • 前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數(shù)據(jù)中心機架的AC和DC配電系統(tǒng)進行架構(gòu)升級，重在減少從電網(wǎng)到核心設備的電力轉(zhuǎn)換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構(gòu)的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
  • 關鍵字： 英飛凌  AI  CoolSiC  CoolGaN  

貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車?(EV)?以及混合動力電動汽車?(HEV)?的牽引逆變器。英
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  電動汽車  牽引逆變器  英飛凌  HybridPACK Drive G2  

實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革，近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后，現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長，帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
  • 關鍵字： Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源  

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于Coo
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關損
  • 關鍵字： MOSFET  CoolSiC  Infineon  

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H?碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT?模塊，其應用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。增強型
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  

英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

  • 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應用。 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  高功率模塊  節(jié)能電氣化列車  
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