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Aptina CMOS sensor MT9V126倒車影像方案

  •   MT9V126 是Aptina 針對車載倒車影像市場推出的高靈敏度CMOS sensor產(chǎn)品,其主要特性:內(nèi)部集成overlay(on chip)功能;Lens Distortion correction(鏡頭光學(xué)變形校正); Vertical Perspective Adjustment 感光能力可達(dá)11.5V/lux-s(55onm); 動態(tài)范圍pixel Dynamic Range 大于82db;可對客戶為開發(fā)應(yīng)用于低照,強眩光等嚴(yán)苛條件下的倒車影像產(chǎn)品,并同時降低客戶整體開發(fā)成本提供強有力的幫
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采用0.18µm CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

  • 采用0.18micro;m CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?;旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以
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Avago推出車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器

  •   Avago Technologies(安華高科技)今日宣布,推出二款面向油電混合動力車(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應(yīng)用所設(shè)計的車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器產(chǎn)品。ACPL-M71T單通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驅(qū)動光電耦合器為Avago R2Coupler™數(shù)字系列產(chǎn)品的最新成員,這些采用小型化SOIC-5封裝,擁有耐高溫和低功耗特性的光電耦合器非常適合控制器局域網(wǎng)總線(CANBus, Controller Area Ne
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中國首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片“唐芯一號”亮相西安

  •   日前在西安曲江國際會展中心召開的第四屆中國民營科技產(chǎn)品博覽會上,本土IC設(shè)計公司西安優(yōu)勢微電子公司推出了中國內(nèi)首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片——“唐芯一號”。   “唐芯一號”核心芯片是中國第一顆完全自主知識產(chǎn)權(quán)的2.4GHz超低功耗射頻可編程片上系統(tǒng)(PSoC),采用0.18μm數(shù)字CMOS工藝,集無線射頻收發(fā)、數(shù)字基帶、數(shù)據(jù)處理、電源管理于一體,具有無線通信、無線組網(wǎng)、無線傳感、無線控制、數(shù)據(jù)處理等能力,是目前同類芯片中集成度最高
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IBM攜手大陸晶圓廠 抗衡臺積電

  •   近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺合作,不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程,亦與無錫華潤上華結(jié)盟,針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出,IBM積極運用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力,全力擴展大陸市場,未來IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕,并與臺積電勢力相抗衡。   大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,目前IBM對于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法,尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠,IBM積極尋求合作機會,不僅對于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放,甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶,透過IBM轉(zhuǎn)至
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中芯國際宣布 MEMS 芯片成功通過 Microstaq 驗證

  •   中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。   “我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測試”,Microstaq 工程部副總裁 Mark Luckevich 表示,“Ventilum 芯片通過了最高級別的認(rèn)證,我們正期待著這項技術(shù)應(yīng)用于暖通空調(diào)和制冷市場。”   “這是一
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IBM攜手大陸晶圓廠 抗衡臺積電

  •   近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺合作,不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程,亦與無錫華潤上華結(jié)盟,針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出,IBM積極運用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力,全力擴展大陸市場,未來IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕,并與臺積電勢力相抗衡。   大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,目前IBM對于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法,尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠,IBM積極尋求合作機會,不僅對于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放,甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶,透過IBM轉(zhuǎn)至
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俞忠鈺:以內(nèi)需市場為突破口實現(xiàn)中國IC業(yè)大發(fā)展

  •   “雖然國際金融危機對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的沖擊非常大,但以中國內(nèi)需市場為突破口和切入點,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的黃金發(fā)展期?!敝袊雽?dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長俞忠鈺充滿信心地指出。在IC CHINA2009召開前夕,俞忠鈺就中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀和未來,以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的策略和重點等熱點話題,接受了《中國電子報》記者的專訪。   全球半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入變革和創(chuàng)新時代   記者:由于國際金融危機的影響,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出新的變化和特點。你認(rèn)為國際金融危機后全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生哪些改變?你對全球半導(dǎo)
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

  •   中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。   這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力,更好地滿足全球客戶的需求,包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設(shè)備(如3G/4G 手機)。   “中芯國際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示,“這些新技術(shù)為
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

  •   全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力,推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。   這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺,用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用?;贠NC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造,因此,預(yù)期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計人
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諾貝爾獎當(dāng)之無愧,CCD傳感器已無處不在

  •   1969年,貝爾實驗室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù):電荷耦合組件(CCD)。40年后,隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達(dá)13億顆的龐大市場,這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎,以表揚他們在數(shù)字成像領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。   “影像傳感器技術(shù)對世界和整個社會帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響,”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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采用0.18micro;m CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

  • 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進(jìn)行設(shè)計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
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臺積電與AMCC結(jié)盟 取得嵌入式微處理器訂單

  •   臺積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟,AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn),未來將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。   AMCC為全球能源及通訊解決方案商,臺積電表示,這次雙方的合作,是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù),受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
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一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計

  • 為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量,通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析,提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素,大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預(yù)處理功能,對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

  •   世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù),已進(jìn)入量產(chǎn)階段。   華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝,1.8V的核心器件,3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細(xì)調(diào)整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性,可
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