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適用于變電站的CAN現(xiàn)場總線通信適配卡的設(shè)計
- 1、前言隨著變電站自動化程度的不斷提高,自動化系統(tǒng)變得龐大和復雜。在一個變電站自動化系統(tǒng)中往往包括...
- 關(guān)鍵字: 變電站 CAN 現(xiàn)場總線 通信適配卡
基于CAN現(xiàn)場總線的發(fā)動機組及配電控制系統(tǒng)
- 英碩采用CAN現(xiàn)場總線技術(shù),為發(fā)電機組的管理及用戶設(shè)備的配電控制提供了全套的解決方案:本系統(tǒng)基于CAN總線分...
- 關(guān)鍵字: CAN 現(xiàn)場總線 發(fā)動機組 配電控制系統(tǒng)
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當,而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
- 關(guān)鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
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