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臺積電將推出新CoWoS封裝技術：打造手掌大小高端芯片

  • 11月28日消息，據(jù)報道，臺積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。此項革新性技術核心亮點在于，它能夠支持多達9個光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個高性能的HBM4內存堆棧，專為滿足最嚴苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術的實現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個光罩尺寸的配置，也需仰賴超過100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限（102 x 165m
  • 關鍵字： 臺積電  新CoWoS  封裝技術  手掌大小  高端芯片  SoIC  

臺積電CoW-SoW 預計2027年量產

  • 隨著IC設計業(yè)者透過增加芯片尺寸提高處理能力，考驗芯片制造實力。英偉達達AI芯片Blackwell，被CEO黃仁勛譽為「非常非常大的GPU」，而確實也是目前業(yè)界面積最大的GPU，由兩顆Blackwell芯片拼接而成，并采用臺積電4納米制程，擁有2,080億個晶體管，然而難免遇到封裝方式過于復雜之問題。CoWoS-L封裝技術，使用LSI（本地硅互連）橋接RDL（硅中介層）連接晶粒，傳輸速度可達10／TBs左右；不過封裝步驟由于橋接放置精度要求極高，稍有缺陷都可能導致價值4萬美元的芯片報廢，從而影響良率及獲利
  • 關鍵字： 臺積電  CoW-SoW  InFO-SoW  SoIC  

臺積電2納米、SoIC 蘋果搶首批訂單

  • 臺積電2納米先進制程及3D先進封裝同獲蘋果大單！業(yè)者傳出，臺積電2納米制程傳本周試產，蘋果將拿下2025年首波產能外，下世代3D先進封裝平臺SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也規(guī)劃于M5芯片導入該封裝技術并展開量產，2026年預定SoIC產能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長。 半導體業(yè)者指出，隨SoC（系統(tǒng)單芯片）愈做愈大，未來12吋晶圓恐僅能擺一顆芯片也不為過，但這對晶圓代工廠良率及產能均是極大挑戰(zhàn)；因此，以臺積電為首等生態(tài)系加速研發(fā)SoIC，希望透過立體堆棧芯片技術，滿足SoC所需晶體管數(shù)量、接口數(shù)、傳輸質量及速度等要求，并
  • 關鍵字： 臺積電  2納米  SoIC  蘋果  

蘋果規(guī)劃于M5芯片導入臺積電SoIC先進封裝制程

  • 《科創(chuàng)板日報》15日訊，臺積電2nm制程傳出將在本周試產，蘋果將拿下2025年首波產能外，下世代3D先進封裝平臺SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也規(guī)劃于M5芯片導入并展開量產，2026年預計SoIC產能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長。 (臺灣工商時報)
  • 關鍵字： 蘋果  M5芯片  臺積電  SoIC  封裝制程  

消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導體封裝大客戶

  • 7 月 4 日消息，根據(jù)經濟日報報道，在 AMD 之后，蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經擴大和臺積電的合作，預估在2025 年使用該技術。臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產能的同時，也在積極推動下一代 SoIC 封裝方案落地投產。AMD 是臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，可將不同尺寸、功能、節(jié)點的晶粒進行異質整合，目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產。臺積電目前已經整合封裝工藝構建 3D Fabric 系統(tǒng)，其中分為 3
  • 關鍵字： 蘋果  AMD  臺積電  SoIC  半導體  封裝  

臺積電先進封裝產能被訂光，一路包到明年

  • 英偉達、AMD 等沖刺高性能計算，大舉下單。
  • 關鍵字： CoWoS  SoIC  

消息稱蘋果正小量試產 3D 堆疊技術 SoIC

  • IT之家 7 月 31 日消息，據(jù)臺媒 MoneyDJ 援引業(yè)界消息稱，繼 AMD 后，蘋果正小量試產最新的 3D 堆疊技術 SoIC（系統(tǒng)整合芯片），目前規(guī)劃采用 SoIC 搭配 InFO 的封裝方案，預計用在 MacBook，最快 2025~2026 年間有機會看到終端產品問世。據(jù)IT之家了解，臺積電 SoIC 是業(yè)界第一個高密度 3D 堆疊技術，通過 Chip on Wafer（CoW）封裝技術，可以將不同尺寸、功能、節(jié)點的晶粒進行異質整合，并于竹南六廠（AP6）進入量產。其中，AMD 是
  • 關鍵字： SoIC  蘋果  

ANSYS獲臺積電SoIC先進3D晶片堆疊技術認證

  • ANSYS針對臺積電 （TSMC） 創(chuàng)新系統(tǒng)整合晶片 （TSMC-SoIC） 先進3D晶片堆疊技術開發(fā)的解決方案已獲臺積電認證。SoIC是一種運用Through Silicon Via （TSV） 和chip-on-wafer接合制程，針對多晶粒堆疊系統(tǒng)層級整合的先進互連技術，對高度復雜、要求嚴苛的云端和資料中心應用而言，能提供更高的電源效率和效能。
  • 關鍵字： ANSYS  臺積電  SoIC  

Ramtron推出32Kb器件擴展F-RAM串口存儲器

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  非易失性存儲器  NoDelay  SOIC  

基于磁阻傳感器的弱磁信號采集系統(tǒng)設計

  • 　　0引 言 　　通常所用的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其采樣對象都為大信號，即有用信號幅值大于噪聲信號，但在一些特殊場合采集的信號很微弱，并淹沒在大量的隨機噪聲中。此種情況下，一般的采集系統(tǒng)和測量方法無法檢測該信號，本采集系統(tǒng)硬件電路針對微弱小信號，優(yōu)化設計前端調理電路，利用儀表放大器有效抑制共模信號，保證采集數(shù)據(jù)的精度要求。 　　磁阻傳感器是感知磁性物體的存在或者磁性強度(在有效范圍內)的敏感元件。這些磁性物體除永磁體外，還包括順磁材料，也可感知通電線圈或導線周圍的磁場。本文選用霍尼韋爾磁阻傳感器HMC1002
  • 關鍵字： 傳感器  磁阻效應  數(shù)據(jù)采集  SOIC  
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