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多傳感器融合已成趨勢(shì)

  • 近來(lái)，可穿戴行業(yè)作為一個(gè)熱門(mén)行業(yè)迅速發(fā)展，越來(lái)越多可穿戴智能產(chǎn)品如手表手環(huán)類(lèi)產(chǎn)品涌進(jìn)人們?nèi)粘Ｉ钪小１娝苤?，可穿戴設(shè)備和傳感器技術(shù)密切相關(guān)，并在穿戴設(shè)備中扮演著重要角色。隨著穿戴設(shè)備靈活輕便的發(fā)展趨勢(shì)，可穿戴應(yīng)用中傳感器的整體發(fā)展也更趨向于智能化、小型化、低功耗及低成本化。
  • 關(guān)鍵字： 可穿戴  RHOM  

工業(yè)領(lǐng)域的磁耦驅(qū)動(dòng)新技術(shù)

  • 近兩年來(lái)，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進(jìn)入應(yīng)用領(lǐng)域。SIC半導(dǎo)體具有寬禁帶，高擊穿電場(chǎng)，高飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率的優(yōu)異特性正在推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域?qū)β试O(shè)備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率設(shè)備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設(shè)備的體積減小到原來(lái)不可思議的地步。但是更高的頻率，更高的功率密度，要求周邊器件也能適應(yīng)更高的工作頻率，在更寬的溫度范圍以保證穩(wěn)定的工作狀態(tài)。ROHM在SIC發(fā)展最初階段提出了可應(yīng)用SIC產(chǎn)品使用的磁
  • 關(guān)鍵字： RHOM  磁耦技術(shù)  隔離器  
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