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原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET？
- 問題沒有專門用于驅(qū)動(dòng)GaNFET的控制器時(shí)，如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。簡(jiǎn)介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損
- 關(guān)鍵字： DC-DC控制器 GaNFET ADI
如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？
- 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器，而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置GaN驅(qū)動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專用GaNFET驅(qū)動(dòng)器（如 LT8418)外，市場(chǎng)上還存在針對(duì)GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
- 關(guān)鍵字： ADI GaNFET DC-DC
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