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原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET?

  • 問題沒有專門用于驅(qū)動(dòng)GaNFET的控制器時(shí),如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器?回答眾所周知,GaNFET比較難驅(qū)動(dòng),如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器,可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路,可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。簡(jiǎn)介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù),有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損
  • 關(guān)鍵字: DC-DC控制器  GaNFET  ADI  

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器?

  • 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù),有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器,而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置GaN驅(qū)動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專用GaNFET驅(qū)動(dòng)器(如 LT8418)外,市場(chǎng)上還存在針對(duì)GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器(如LTC7890, LTC7891)。 目前的
  • 關(guān)鍵字: ADI  GaNFET  DC-DC  

GaN FET與硅FET的比較

  • GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說,理解GaN有可能帶來的性能提升,以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
  • 關(guān)鍵字: GaNFET  硅FET  
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