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CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)
- DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場的主流位置,不過DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性(CL 4/5)設(shè)計而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內(nèi)存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2,但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設(shè)定可達成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR,無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破,而這個情況
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