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低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術，滿足光伏應用的需求

  • 本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術。950V IGBT結構基于微溝槽理念，與典型1200V技術相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開關損耗顯著降低。通過分析應用需求與功率模塊設計的相互作用，本文確定了功率模塊的應用結果和優(yōu)化路徑。得益于經優(yōu)化的功率模塊設計和采用950V技術，近期推出的無基板Easy3B解決方案實現了全集成1500V ANPC拓撲結構。該拓撲結構的額定電流達到400A，而雜散電感低至僅15nH。1.引言提升開關速度、提高開關頻率和增大功率密度是目前現代功率半導體器
  • 關鍵字： Infineon  ANPC  

滿足高度緊湊型1500-V并網逆變器需求的新型ANPC功率模塊

  • 本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優(yōu)化組合，實現成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲能系統(tǒng)等新興應用。1.引言過去十年，光伏產業(yè)經歷了大規(guī)模增長。規(guī)模經濟效應和光伏系統(tǒng)技術領域的創(chuàng)新，促使平準化度電成本降低
  • 關鍵字： Infineon  并網逆變器  ANPC  
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