90-nm 文章進(jìn)入90-nm技術(shù)社區(qū)

UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)和均流

0 引言隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和用電設(shè)備的不斷增加，對(duì)UPS容量的要求越來(lái)越大。大容量的UPS有兩種構(gòu)成方式：一種是采用單臺(tái)大容量UPS；另一種是在UPS單機(jī)內(nèi)部采用功率模塊N＋m冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)。前者的缺點(diǎn)是成本高
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用FPGA解決65nm芯片設(shè)計(jì)難題

　隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類關(guān)鍵的開(kāi)發(fā)問(wèn)題：待機(jī)功耗和開(kāi)發(fā)成本。這兩個(gè)問(wèn)題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問(wèn)題。在設(shè)計(jì)方法上從專用集成電路(ASIC)和專
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可在0~-180度范圍內(nèi)變化的-90度移相電路

電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內(nèi)移相，可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同，只是改
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可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器

電路的功能當(dāng)用OP放大器進(jìn)行高倍數(shù)AC放大時(shí)，若改變反饋電路的分壓比，使放大倍數(shù)改變，頻率特性也會(huì)大幅度地改變。本電路設(shè)有40、20、20、10DB增益固定的放大器，通過(guò)繼電器選用這些放大器，可使最大增益達(dá)90DB。本
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在28-nm FPGA 上實(shí)現(xiàn)集成100-GbE 交換解決方案

隨著高速100-GbE 通信網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)的完成，交換功能在互聯(lián)網(wǎng)正常運(yùn)行中扮演了重要角色。網(wǎng)絡(luò)總流量每6個(gè)月翻倍，通過(guò)多種協(xié)議進(jìn)行傳送，網(wǎng)絡(luò)越來(lái)越復(fù)雜，交換體系結(jié)構(gòu)面臨很大的挑戰(zhàn)。目前的單芯片體系結(jié)構(gòu)無(wú)法滿足越來(lái)越大的帶寬和復(fù)雜度要求，因此，需要開(kāi)發(fā)高效算法和交換體系結(jié)構(gòu)，以滿足高速網(wǎng)絡(luò)需求。Stratix V FPGA 支持硬件設(shè)計(jì)人員在下一代交換機(jī)和路由器中集成100-GbE 元件，在系統(tǒng)中均衡的分配數(shù)據(jù)，確保QoS。詳情參見(jiàn) http://share.eepw.com.cn/share/downlo
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在28-nm FPGA 上實(shí)現(xiàn)100-Gbit OTN 復(fù)用轉(zhuǎn)發(fā)器解決方案

視頻和寬帶無(wú)線技術(shù)對(duì)帶寬越來(lái)越高的要求使得通信網(wǎng)絡(luò)承受了很大的壓力。目前的10-Gbit OTN 基礎(chǔ)設(shè)備通道容量接近了極限，面臨帶寬耗盡的問(wèn)題。面對(duì)越來(lái)越高的資本支出和運(yùn)營(yíng)支出以及不斷下滑的利潤(rùn)，服務(wù)提供商轉(zhuǎn)向了100-Gbit OTN 解決方案，將目前的10-Gbit 網(wǎng)絡(luò)容量提高10 倍。但是，還有很多在用的低速率OTN、SONET、以太網(wǎng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)，這需要通過(guò)100-Gbit OTN 復(fù)用轉(zhuǎn)發(fā)器將這些系統(tǒng)置入到新的基礎(chǔ)光設(shè)施中。Altera Stratix V FPGA 系列采用了多項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)
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Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸，同時(shí)降低了系統(tǒng)功耗和成本 2010年4月20號(hào)，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-nm工藝，降低了寬帶應(yīng)用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進(jìn)行制造，提供1
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采用帶有收發(fā)器的全系列40-nm FPGA 和ASIC 實(shí)現(xiàn)創(chuàng)

人們對(duì)寬帶服務(wù)的帶寬要求越來(lái)越高，促使芯片供應(yīng)商使用更多的高速串行收發(fā)器。因此，下一代應(yīng)用采用了多種數(shù)據(jù)速率，從幾Mbps 到數(shù)百Gbps，在一種設(shè)備中集成了多種協(xié)議和服務(wù)。以太網(wǎng)等迅速發(fā)展的標(biāo)準(zhǔn)以及對(duì)提高
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在40-nm 工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件

實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
40-nm ASIC 無(wú)風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過(guò)三年周密的規(guī)劃和
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泰科電子推出全新熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品

　　泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品能夠充分滿足從航空、國(guó)防、船舶、鐵路、公共交通到工業(yè)及電子等各行業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅茈娎|及線纜標(biāo)記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品的推出，為高溫環(huán)境下的作業(yè)帶來(lái)了可靠的機(jī)械強(qiáng)度、長(zhǎng)時(shí)間高溫防護(hù)，以及強(qiáng)大的高溫防水性能。　　泰科電子TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)具備極高的耐用性，持久性。該產(chǎn)品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯(lián)熱縮均聚聚烯烴，適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產(chǎn)品重量輕巧，收縮率
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Altera發(fā)布業(yè)界首款40-nm FPGA和HardCopy ASIC

? 　為幫助設(shè)計(jì)人員提高集成度，進(jìn)一步創(chuàng)新，Altera公司今天發(fā)布了業(yè)界的首款40-nm FPGA和HardCopy? ASIC。Stratix? IV FPGA和HardCopy IV ASIC都提供收發(fā)器，在密度、性能和低功耗上遙遙領(lǐng)先。Stratix IV系列有680K邏輯單元(LE)，比Altera的Stratix III系列高2倍，是目前市場(chǎng)上密度最大的FPGA。HardCopy IV ASIC系列在密度上和Stratix IV器件等價(jià)，具有1330萬(wàn)邏輯門。Alte
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes

Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位，Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達(dá)25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬(wàn)通道數(shù)的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀(jì)錄，現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗(yàn)證的17 Gbps SerDes性能將
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瑞薩科技開(kāi)發(fā)出90 nm工藝SuperH系列SH72546RFCC微控制器

瑞薩科技公司宣布，開(kāi)發(fā)出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC，這是業(yè)界第一個(gè)采用90 nm（納米）工藝并帶有片上閃存的微控制器，可用于汽車引擎、傳輸?shù)瓤刂瞥绦虻拈_(kāi)發(fā)。樣品將從2007年10月開(kāi)始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車應(yīng)用所需的125℃的高溫工作環(huán)境下實(shí)現(xiàn)200 MHz的業(yè)界最高運(yùn)行速度。此外，它還采用了業(yè)界最大的片上閃存容量，可以實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開(kāi)發(fā)，2008年瑞薩科技將根據(jù)SH7
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普華永道：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)90%歸功中國(guó)

　　中國(guó)制造的電子系統(tǒng)推動(dòng)2005年全球半導(dǎo)體消費(fèi)增長(zhǎng)90%。這種趨勢(shì)在2003年首次被發(fā)現(xiàn)并延續(xù)至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對(duì)在該課題上中國(guó)的和其它公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行全面分析后得到的論斷。　　《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》（《中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的影響：2006最新分析》）首次
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
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