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第二代FlightSense的ToF激光測(cè)距的工程設(shè)計(jì)考量

  • ToF激光測(cè)距的精準(zhǔn)度更高,可用于手機(jī)、控制面板和家庭服務(wù)機(jī)器人等。近日,ST公司推出了第二代FlightSense,并介紹了其原理及工程設(shè)計(jì)理念。
  • 關(guān)鍵字: ToF  測(cè)距  激光  FlightSense  201609  

3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲,中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

  • 中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲(chǔ)器  

美光3D NAND將殺到!打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營(yíng),如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn),3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!
  • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

  •   據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu),成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
  • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  •   東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。   關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
  • 關(guān)鍵字: 東芝  3D NAND  

Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

  •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  •   DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過(guò),三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。   三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

  •   觸摸屏的保護(hù)玻璃,又稱之為保護(hù)蓋,用來(lái)保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求,保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng),舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來(lái)越重要,這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開(kāi)發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。   2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬(wàn)片,占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模,
  • 關(guān)鍵字: 3D  2D保護(hù)玻璃  

3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

  •   韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點(diǎn),對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  半導(dǎo)體  

3D Touch還不夠好用?蘋果可能另有其謀

  • 任何一個(gè)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,都有義務(wù)去推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展,隨著后續(xù)功能的適配,3D Touch的未來(lái)一片光明。
  • 關(guān)鍵字: 蘋果  3D Touch  

醫(yī)療新巨頭誕生:6000萬(wàn)美元的大合并!

  •   去年10月,全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical,與頂級(jí)醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開(kāi)商Mach7合并。如今,這樁交易已經(jīng)宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。   據(jù)悉,3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對(duì)不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬(wàn)美元的合并交易完成之后,新公司將會(huì)把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。   據(jù)了解,3D Medical和Ma
  • 關(guān)鍵字: 3D Medical  Mach7  

存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

  • 國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái),也值。
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  3D NAND  

投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

  •   國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%,達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%,達(dá)421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開(kāi)始加速,為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
  • 關(guān)鍵字: 晶圓  3D NAND  

中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

  • 國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ),剩下的問(wèn)題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢?初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的,但長(zhǎng)久來(lái)看還得是技術(shù)立足。
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲(chǔ)  

2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn),誰(shuí)輸在起跑線?

  •   為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫,2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。   1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競(jìng)爭(zhēng)力   與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。  
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  2D  
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