3d hal 文章 進(jìn)入3d hal技術(shù)社區(qū)
研發(fā)主管U盤拷走Intel技術(shù)機(jī)密:獻(xiàn)給對(duì)手

- Intel風(fēng)生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲(chǔ)芯片打造的,而該技術(shù)其實(shí)是Intel和美光合研所得。不過,Intel和美光已經(jīng)宣布,將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發(fā)后分道揚(yáng)鑣,同時(shí),該存儲(chǔ)芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠,也已經(jīng)被美光全資收購,今年底交割完成?! ∪欢P(guān)于3D Xpoint,Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場官司?! 〖又輺|區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示,Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級(jí)新型材料亮相2019年TCT亞洲展

- 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間,Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
- 關(guān)鍵字: 醫(yī)療,3D
Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

- 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間,Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用,
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CES 2019:英特爾推出5G芯片 躋身無線基站
- CES 2019展會(huì)上,英特爾宣布了因應(yīng)5G時(shí)代的“Snow Ridge”。此外,該公司還同時(shí)發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動(dòng)處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
- 關(guān)鍵字: CES2019 5G芯片 Snow Ridge Foveros 3D
突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

- 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái),本次峰會(huì)匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下,企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值,變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過,2019年閃存價(jià)格恐跌40%
- CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價(jià)來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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e絡(luò)盟3D打印產(chǎn)品線再添新供應(yīng)商MakerGear

- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機(jī),進(jìn)一步擴(kuò)充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統(tǒng)技術(shù)和市場領(lǐng)航者,其打印機(jī)旨在加速終端應(yīng)用部件和設(shè)備的原型設(shè)計(jì)及生產(chǎn)?! 癕akerGear打印機(jī)的設(shè)計(jì)、構(gòu)建、制造和檢驗(yàn)均符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),確保為專業(yè)人士和創(chuàng)客提供最優(yōu)性能?!?Premier Farnell 和 e絡(luò)盟全球測試和工具主管 James McGregor表示,“作為開發(fā)服務(wù)分銷商,我們致力于為客戶進(jìn)行創(chuàng)新設(shè)計(jì)、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術(shù)
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍,給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?! ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導(dǎo)體 中歐論壇
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng),中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額
- 近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告,報(bào)告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng),中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位?! ?014年中國成立大基金以來,促進(jìn)了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長,目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目,代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字: 晶圓 DRAM 3D NAND
3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

- 6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?! 』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?! ∪颡?dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù) 展會(huì)期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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