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應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。  隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
  • 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新  1.2V  SPI NOR Flash  

一種基于動態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

  • 摘要 分析了以動態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態(tài)閾值NMOS和2個有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 模擬  法器  CMOS  2V  動態(tài)  NMOS  基于  

一顆IC芯片從單節(jié)鋰離子電池產(chǎn)生三個低于2V的電源軌

  • IC 工藝幾何尺寸的日益縮小促使當(dāng)今電子產(chǎn)品的工作電壓降至遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于 2V 的水平，由此帶來了諸多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。一個常見的問題是需要多個電源電壓，例如：一個電壓用于 CPU 內(nèi)核，另一個電壓用于 I/O，還有其它一些電壓
  • 關(guān)鍵字： 三個  低于  2V  電源  產(chǎn)生  電池  IC  芯片  從單節(jié)  鋰離子  
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