200910 文章進(jìn)入200910技術(shù)社區(qū)

即將普及的碳化硅器件

　　隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。　　在這種情況下，性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
關(guān)鍵字：豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910

　　歷史發(fā)展　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開(kāi)創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對(duì)各國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無(wú)可取代的巨大作用。　　眾所周知，進(jìn)入上世紀(jì)80年代，隨著大型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時(shí)DRAM技術(shù)要求較低，其特點(diǎn)是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強(qiáng)項(xiàng)。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時(shí)代還落后于美國(guó)兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國(guó)一致的努力下，
關(guān)鍵字： Intel DRAM VLSI LSI 200910

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