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DRAM終迎降價潮 會是國產廠商的利好嗎？

  • DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲，但隨著技術漸入瓶頸，加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況，對于國產廠商而言究竟意味著什么呢?
  • 關鍵字： DRAM  存儲器  

聚焦安全芯片，紫光國微將DRAM業(yè)務2.2億轉讓給紫光存儲

  • 　　10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)?！　“凑展娴恼f法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領域的先進技術，持續(xù)加大產品開發(fā)投入，但受下游制造代工產能等方面的限制，短期內無法達到規(guī)模經(jīng)濟，經(jīng)營壓力加大，資產負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  

“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的？

  • DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業(yè)賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業(yè)而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀，但仍舊無濟于事。
  • 關鍵字： DRAM  芯片  

DRAM內存市場已經(jīng)為寡頭壟斷，時代變了，別再等漲跌循環(huán)了

  • 內存漲價今年底也要到頭了，投行機構也看衰內存行業(yè)前景，認為明年內存價格會跌，不過在內存業(yè)內廠商來看，內存市場已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
  • 關鍵字： DRAM，  

紫光國微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產品

  • 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
  • 關鍵字： 紫光國微，DRAM  

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

今年全球半導體支出將首次突破1000億美元，內存投資繼續(xù)瘋狂

  • 　　IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?！　∪鐖D所示，超過一半的行業(yè)資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產，包括對現(xiàn)有晶圓廠產線和全新制作設施的升級。總的來說，預計今年內存將占到半導體資本支出的53%，達到
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

集邦咨詢：DRAM價格已近高點

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用類別的內存季漲幅約在3%左右?！　≌雇谌緝r格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
  • 關鍵字： DRAM  美光  

新一輪手機漲價潮，供應鏈和新技術要“背鍋”

  • 智能手機的漲價潮已然是一種普遍現(xiàn)象，Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始，曾經(jīng)標售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
  • 關鍵字： 手機  DRAM  

第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價水平將較接近主流標準型與服務器內存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內存價格走勢預估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內存主流　　就產品應用種類觀察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  

閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  • 　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
  • 關鍵字： 閃存  DRAM  

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

中國存儲三大陣營相繼試產,兩年后或取得全球產業(yè)話語權

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。　　而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳?，中國存儲器產業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產8
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   
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1b dram介紹

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