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肖特基二極管
肖特基二極管 文章 進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區(qū)
一種用于汽車啟停系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方案

- 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)到加速踏板——或者在使用手動(dòng)檔情況下釋放離合器踏板重新接入動(dòng)力時(shí)又自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。在城市行駛和停停走走的高峰時(shí)段這種功能非常有助于減少燃油消耗。 然而,這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來(lái)了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),因?yàn)樵诎l(fā)動(dòng)機(jī)重啟時(shí)電池電壓可能降至6.0V或更低。另外,典型的電子模塊都包含有一個(gè)反極性的二極管,
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電路的均方根輸出在寬范圍內(nèi)與溫度呈線性比例關(guān)系
- 眾所周知,p-n結(jié)二極管是最高約200℃的低溫精密溫度計(jì)的基礎(chǔ)。流經(jīng)二極管的電流保持恒定,二極管上的電壓則提供...
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管,為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積,實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。 全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝,熱阻僅為261oC/W,比DFN0603封裝低約一半,有效把開(kāi)關(guān)、反向阻斷和整流電路的功耗減半。 SDM0230CSP的占位面積為0.1
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度

- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管,為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積,實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。
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PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器肖特基二極管(SBD)
- 肖特基(Schottky)二極管是將金屬層沉積在N型硅的薄薄外延層上,利用金屬和半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘獲得單向?qū)?..
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
- 功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一,在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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肖特基二極管簡(jiǎn)介
- 肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。 肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N-外延層(砷材
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無(wú)需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨(dú)具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容,新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值,針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化,達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫(kù)侖(nC)、25.6 nC及1
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肖特基二極管介紹
目錄
簡(jiǎn)介
原理
優(yōu)點(diǎn)
結(jié)構(gòu)
特點(diǎn)
應(yīng)用
其它
簡(jiǎn)介
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo) [ 查看詳細(xì) ]
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