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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

大功率IGBT驅動過流保護電路研究

  • 摘要：針對IGBT驅動過流保護問題，提出了分離元件驅動過流保護電路和模塊驅動過流保護電路.文中給出了分離元件驅動過流保護電路和模塊驅動過流保護電路,并詳細分析了兩者的工作原理，指出了它們之間的優(yōu)缺點. 關鍵詞：IGBT；分離元件驅動過流保護電路；模塊驅動過流保護電路 　　IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點而成為大功率開關電源等電力電子裝置的首選功率器件，但IGBT和晶閘管一樣，其抗過載能力不高[1-2].因此，如何設計IGBT的驅動過流保護電路，使之具有完善的驅動過流保護功能，是設計者必須考
  • 關鍵字： IGBT  分離元件  驅動  過流保護電路  

IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計方法

  • 摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計算出電流不平衡、開關損耗及結溫。 關鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法 　　IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個老問題了。在試圖回答該問題時，工程師們通常會很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個兩難的位置上。過去，人們針對該問題提出了一些考慮統(tǒng)計因素的方法，但是到目前為止，仍然沒有人可以回答這樣的關鍵問題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時，超出器件限值的概率有多大?，F(xiàn)在，英飛
  • 關鍵字： IGBT  模塊并聯(lián)  模擬分析方法  蒙特卡羅方法  200809  

IR 推出適合汽車應用的堅固可靠600V IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適合汽車應用的高、中、低壓堅固600V單通道高壓端驅動IC AUIRS212xS系列，其應用包括通用汽車驅動器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。 　　AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅動器符合AEC-Q100標準，可以提供10V至20V的柵極驅動電源電壓。輸出驅動器具有適用于最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖過程，而浮動通道可用來驅動在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
  • 關鍵字： IR  汽車  驅動器  IGBT  

電力電子技術突顯節(jié)能功效 新型器件嶄露頭角

  • 　　發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等多個領域充當了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領域，電力電子器件也是不可或缺的元素。 　　電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀60年代-80年代)主要應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計算機、消費電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應用范圍有了大幅度的擴展，其技術已成為航空、航天、火車、汽車、通信
  • 關鍵字： 電力電子  IGBT  新能源  節(jié)能  

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列，用于開關電源和電機驅動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
  • 關鍵字： Zetex  ZXGD3000  MOSFET  IGBT  

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅動器

  • PSHI 3系列IGBT驅動器是基于具有自主知識產(chǎn)權的ASIC而設計的智能型1700V雙路IGBT驅動器，包括邏輯信號處理的ASIC PSD001，門極驅動的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號處理、故障鎖存及處理、短路保護、欠壓保護、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅動； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅動； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。 驅動
  • 關鍵字： 普爾盛 IGBT 驅動器  

用于功率變換器的IGBT驅動核心電路

  • 　　除了功率模塊以外，每個電力電子系統(tǒng)都還有另外一個關鍵部件就是IGBT驅動電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當?shù)尿寗与娐肪秃湍孀兤髡w方案的可靠性緊密相關。與此同時，驅動電路還應該具備最廣泛的系統(tǒng)適應性和用戶接口友好性。 　　例如，在一個電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運行所需要的數(shù)字信號。IGBT驅動電路的功能就是將來自于微控制器的信號轉換成具有足夠功率的驅動信號，來保證IGBT安全地關斷與開通。另一方面，IGBT驅動電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
  • 關鍵字： IGBT  SKYPER  

三電平逆變器IGBT驅動電路電磁兼容研究

  • 分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅動電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎上對lGBT驅動電路EMC設計的一些問題進行了研究，重點討論了光纖傳輸信號、輔助電源設計、瞬態(tài)噪聲抑制以及PCB的抗干擾設計等問題，并給出了設計方案。
  • 關鍵字： 電磁兼容  研究  電路  驅動  逆變器  IGBT  電平  

三菱電機第五代IGBT模塊將亮相于電子展

  • 三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領域的客戶提供與其相應的應用解決方案。 ? 三菱電機采用最新開發(fā)的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長等優(yōu)點。分別針對不同應用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
  • 關鍵字： 三菱 IGBT 電子展  200802  

開關電源技術發(fā)展的十個關注點

  • 上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
  • 關鍵字： 開關電源，IGBT   碳化硅  AC/DC  

用于有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究

  • 　　l 前言 　　絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。 　　有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關系，用數(shù)字信號處理器(DSP
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  場效應晶體管  電源  

IGBT的保護

  • 　　將IGBT用于變換器時，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有： 　?。?） 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號，實現(xiàn)過電流保護； 　　（2） 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt； 　?。?） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳閘，實現(xiàn)過熱保護。 　　下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過電流及其保護措施。 　　前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過IGBT的電流過大時，會產(chǎn)生不可控的擎住效應。實際應用中應使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
  • 關鍵字： IGBT  半導體材料  

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

  • 一、IGBT的工作原理 　　電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
  • 關鍵字： IGBT  半導體材料  

2SD315A在驅動大功率IGBT中的應用

  • 　　引言 　　IGBT常用的驅動模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發(fā)現(xiàn)，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時驅動電流大，要求可靠性要高，使得傳統(tǒng)的驅動電路已經(jīng)不能滿足其使用要求，經(jīng)過研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅動和保護IGBT或功率MOSFET的專用集成驅動模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅動器件，該驅動器集成了智能驅動、自檢、
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  IGBT  2SD315A  模擬IC  電源  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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