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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT逆變焊機電磁騷擾的抑制

  • 1引言在GB15579.10-2008強制性國標(biāo)即將實施之際，如何改善逆變焊機的電磁兼容性（EMC），使之符合標(biāo)準要求已...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變焊機  電磁騷擾  

IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護

  • 核心內(nèi)容:IGBT在DC600V中的應(yīng)用過壓和欠壓保護過熱保護應(yīng)用方法：減小主電路的布線電感增加的緩沖二極 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  應(yīng)用  

關(guān)于IGBT保護電路設(shè)計必知問題

  • 1引言IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻...
  • 關(guān)鍵字： IGBT保護電路  IGBT  保護電路  

如何正確地為太陽能逆變器應(yīng)用選擇IGBT

  • 如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就...
  • 關(guān)鍵字： 太陽能逆變器  IGBT  

IR擴充其耐用、可靠的超高速600 V IGBT系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
  • 關(guān)鍵字： IR  IGBT  GPS4067DPbF  GP4066DPbF  

IR擴充堅固耐用、可靠的超高速600V IGBT系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
  • 關(guān)鍵字： IR  IGBT  IRGPS4067DPbF  IRGP4066DPbF  

具有自保護功能的IGBT厚膜集成電路HL402A（B）的原理及應(yīng)用

  • 1引言絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動問題是制約IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一。驅(qū)動電路性能不好，常常會...
  • 關(guān)鍵字： HL402A（B）  IGBT  柵極驅(qū)動  

在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

  • 開關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流...
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  IGBT  MOSFET  

IR推出600V車用IGBT系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應(yīng)用進行了優(yōu)化。
  • 關(guān)鍵字： IR  600V IGBT  

基于IGBT設(shè)計UPS的技術(shù)方案

  • 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  UPS  技術(shù)  

IGBT制作全過程

  • 設(shè)計思路：　　主變壓器用EC-35鐵氧體磁芯，初級0.2X20mm銅皮3T+3T，次級0.44漆包線45X4共180T分四段再串聯(lián)。這 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  制作  

合理選擇IGBT提高太陽能逆變器效能

  • 如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  太陽能逆變器  

如何進行IGBT保護電路設(shè)計

  • 本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關(guān)問題，并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設(shè)計必備知識。

    IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的
  • 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計  保護  IGBT  進行  如何  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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