絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)

國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

　　“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
關(guān)鍵字：新能源功率器件 IGBT

具有有源電壓鉗位功能的電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與研究

摘要：由于電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力機(jī)車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機(jī)發(fā)電、短路保護(hù)等工況下，防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個(gè)必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應(yīng)用，本文對(duì)幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進(jìn)行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)化建議。
關(guān)鍵字： IGBT 電動(dòng)汽車 201211

IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
關(guān)鍵字： IR Gen8 IGBT

并聯(lián)有源電力濾波器保護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)研究

摘要：針對(duì)并聯(lián)有源電力濾波器在運(yùn)行過程中會(huì)多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題，經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關(guān)斷時(shí)間極短，連接導(dǎo)線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會(huì)產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電
關(guān)鍵字： SAPF IGBT 過電壓寄生電感

電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)今年預(yù)計(jì)萎縮

　　據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年全球電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)大幅萎縮6%，主要?dú)w因于全球消費(fèi)市場(chǎng)明顯疲軟。電源管理半導(dǎo)體對(duì)于各類設(shè)備節(jié)省能源至關(guān)重要。　　2012年電源管理芯片營業(yè)收入預(yù)計(jì)從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎(chǔ)上小幅增長(zhǎng)1.5%。　　明年該市場(chǎng)將恢復(fù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對(duì)于電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，7.6%的增幅相當(dāng)一般。繼明年之后接下來的三年，市場(chǎng)將保持溫和增長(zhǎng)，2016
關(guān)鍵字： IHS 電源管理半導(dǎo)體 IGBT

IGBT光伏發(fā)電逆變電路

國內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
關(guān)鍵字： IGBT 光伏發(fā)電逆變電路

IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
關(guān)鍵字： IGBT 大功率斬波

安森美推出9款新的高能效方案

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
關(guān)鍵字：安森美 IGBT

面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
關(guān)鍵字： IGBT 汽車應(yīng)用功率模塊

IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析

中心論題：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。驅(qū)動(dòng)電路M57962L簡(jiǎn)介。M57962L的工作原理。解決方案：一個(gè)2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對(duì)柵極電荷集聚很敏感。檢測(cè)管壓降VCE的大小可識(shí)別IGBT是否過流。封閉性
關(guān)鍵字： M57962L IGBT 驅(qū)動(dòng)電路

IR針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠?yàn)橄匆聶C(jī)和冰箱等家電與輕工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提升性能及效率。
關(guān)鍵字： IR 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IGBT

Microsemi擴(kuò)展NPT IGBT產(chǎn)品系列

致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
關(guān)鍵字：美高森美 IGBT

飛兆借助新款帶短路功能的IGBT提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
關(guān)鍵字：飛兆 IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

IGBT高壓變頻器在高爐水沖渣系統(tǒng)的應(yīng)用

1 概述高爐冶煉中產(chǎn)生大量的熔渣，通常是用大流量的中壓水將其降溫并沖散，同時(shí)輸送到水渣池回收，作為煉鐵的副產(chǎn)品.高爐生產(chǎn)是不間斷的，一般情況下每天出鐵15次，出鐵前、后各放一次渣，兩次出渣時(shí)間共約30 min.在
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用水沖渣高爐高壓變頻器 IGBT

英飛凌發(fā)布2012年財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)

第三季度的營收額為9.9億歐元，與上個(gè)季度大體持平;營業(yè)利潤為1.26億歐元(利潤率為12.7%); 2012年第四季度業(yè)績(jī)展望確認(rèn)：營收額穩(wěn)中有降;營業(yè)利潤率大約為12%; 2013財(cái)年的計(jì)劃投資額大大低于2012財(cái)年
關(guān)鍵字：英飛凌汽車電子 IGBT