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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

世強獲Littelfuse最佳市場開發(fā)獎 為電路安全保駕護航

  •   Littelfuse偕 同其中國區(qū)的重要代理商伙伴舉辦了2014年度代理商大會。會上,世強獲得了Littelfuse 2014年度最佳市場開發(fā)代理商獎,世強總裁肖慶先生代表領獎。Littelfuse在中國區(qū)有十五家代理商,只有三家獲獎,世強是其中之一。此次獲獎充 分肯定了世強作為中國優(yōu)秀本土分銷商的卓越價值        世強總裁肖慶先生(右二)代表領獎   據(jù)統(tǒng)計,在耗電產(chǎn)品出現(xiàn)的故障中,有75%是由于過電流/過電壓造成的,生產(chǎn)商為了提高市場競爭力,就必須大量采用電路保護元件。
  • 關鍵字: Littelfuse  IGBT  Hamlin  

意法半導體(ST)推出全新M系列IGBT,有效提升太陽能及工業(yè)電源的能效和可靠性

  •   意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出全新M系列1200V IGBT,以先進的溝柵式場截止技術 (trench-gate field-stop) 為特色,有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機 (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機驅(qū)動器等多項目標應用的能效和可靠性。   高度優(yōu)化的導通性和關斷性以及低導通損耗 (low turn-on loss),讓全新的改
  • 關鍵字: 意法半導體  IGBT  工業(yè)電機  

IR為混合動力汽車和電動車推出堅固耐用的600V 車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機應用等。   新的24A AUIRGP66524D0 和AUIRGF66524D0采用IR的COOLiRIGB平臺,并與軟恢復二極管共同封裝,擁有低Vce(on),可有效減少功耗。同時,該產(chǎn)品提供最高175℃結(jié)溫,以
  • 關鍵字: 國際整流器  IGBT  TO-247  

中國8英寸IGBT模塊地鐵車輛達國際領先水平

  •   2012年,株洲建設起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。10月,自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗,并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據(jù)稱,載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車,在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運行一萬公里,各項參數(shù)指標均達國際先進水平。
  • 關鍵字: IGBT  晶閘管  整流管  

英飛凌推出額定電流高達 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝

  •   英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合,推出新型 TO-247PLUS 封裝,可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝,并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業(yè)驅(qū)動等工業(yè)應用以及傳動系統(tǒng)逆變器等汽車應用,可更新高功率輸出的現(xiàn)有設計或者改進這些應用的熱環(huán)境,從而提高系統(tǒng)可靠性和延長系統(tǒng)使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力,能夠在并聯(lián)時減少設備數(shù)量,實現(xiàn)更緊湊的產(chǎn)
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  TO-247-3  

中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運行

  •   中國南車株洲所25日對外公布,裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運行一萬公里,各項參數(shù)指標均達國際先進水平。   這意味著,由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷,實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應用的完全國產(chǎn)化。   IGBT是一種新型功率半導體器件,中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”,IGBT在國家戰(zhàn)略領域中不可或缺。   由
  • 關鍵字: IGBT  功率半導體  

Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊,以擴充其IGBT功率控制半導體系列產(chǎn)品

  •   Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè),已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設計,現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊,額定值高達1700V和450A。 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。 除了標準設計外,Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。 這些模塊將被用于工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應用中,包括工業(yè)驅(qū)動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關
  • 關鍵字: Littelfuse  IGBT  

DC-DC電源模塊的設計及優(yōu)化方案匯總,提供完整軟硬件設計指南

  •   DC-DC是一種新研制的小型化電源開關模塊,它是采用微電子技術,把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構(gòu)成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期,實現(xiàn)最佳指標等,可廣泛應用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關DC-DC電源設計方案及優(yōu)化方案。   隔離型全橋DC-DC電源的設計方案   本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動及保護。并且在實踐設計時,需要根據(jù)選擇
  • 關鍵字: 元器件  IGBT  智能儀器  

IR為高功率工業(yè)應用推出新IGBT模塊系列

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商, 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列,適合電機驅(qū)動逆變器、開關模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應用等高功率工業(yè)應用。   全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術)及成熟的二極管技術,提供一系列穩(wěn)健的高效模塊。這些產(chǎn)品采用了行業(yè)標準封裝,加上寬泛的配置及電流額定值范圍,有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統(tǒng)。這72款模塊提供600V或1200V
  • 關鍵字: 國際整流器  IGBT  

先進攜手北車構(gòu)建中國IGBT核心競爭力

  •   上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約,上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書上簽字,上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示,通過雙方戰(zhàn)略聯(lián)盟的合作,在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎上聯(lián)手打造出具有核心競爭力的國產(chǎn)化IGBT大規(guī)模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。   據(jù)悉,戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個方面:一是通過成立聯(lián)盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
  • 關鍵字: 北車  IGBT  

中國變頻器工業(yè)遠景光亮

  •   在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中,變頻器在電力電子技術與信息通訊技術雙方面都扮演著重要的角色。據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規(guī)模。預測今后5年該規(guī)模將會倍增,到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統(tǒng)節(jié)電率達30%左右,甚至40%~60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速,高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件,目前國內(nèi)IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控,擁有技術優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實現(xiàn)進口替代。
  • 關鍵字: 變頻器工業(yè)  IGBT  

IGBT等功率器件:芯片更薄,封裝散熱更好,集成度更高

  •   近日,三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展,總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。   IGBT芯片發(fā)展進程   IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來,就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說,今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右,其中改良技術包括:精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機的CSTBT),以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今,三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代,正朝第8代邁進。   隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代,功耗越來越低,尺寸越來越小。從80
  • 關鍵字: 三菱電機  IGBT  晶圓  201408  

中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

  • IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢,是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發(fā)展,在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領域,市場前景廣闊。
  • 關鍵字: 半導體  IGBT  

中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之三:IGBT產(chǎn)業(yè)

  •   IGBT   是功率器件技術演變的最新產(chǎn)品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?;诩夹g和功能上的優(yōu)勢,IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排,具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,是未來應
  • 關鍵字: 半導體  IGBT  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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