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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術社區(qū)

功率半導體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  功率半導體  

新型IGBT軟開關在應用中的損耗

  • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
  • 關鍵字： IGBT  軟開關  損耗    

功率半導體下游需求旺盛 前景看好

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

中國南車成立海外半導體研發(fā)中心

  • 　　近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實現(xiàn)功率半導體器件世界第一的戰(zhàn)略目標奠定了更加堅實的基礎。 　　中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司，獲得了戰(zhàn)略性資源，與中國南車現(xiàn)有功率半導體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢互補。為尋求更大發(fā)展，南車確立了功率半導體器件世界第一的戰(zhàn)略目標，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進一步加大對功率半導體產(chǎn)業(yè)的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時建立世界水平的功率半導體研發(fā)中心，
  • 關鍵字： 軌道交通  IGBT  

汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用

  • 針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。





    混合動力車輛中功率半導體模塊的要求

    工作環(huán)境惡劣(高溫、振動)

    IGBT位于逆
  • 關鍵字： IGBT  汽車級  混合動力車  中的設計    

英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關和效率界限

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。 　　近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  UPS  

英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3

  • 　　英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設計的新款IGBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 　　英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  PrimePACK  

英飛凌攜手三菱電機服務全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

英飛凌全新.XT技術大幅延長IGBT模塊使用壽命，

  • 　　英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結溫鋪平道路。 　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  封裝  

英飛凌攜手三菱電機服務全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  SmartPACK  SmartPIM  

汽車級IGBT在混合動力車中的應用

  • 混合動力車電力驅(qū)動的關鍵組件是電機和電機驅(qū)動器，IGBT作為電機驅(qū)動器的核心，它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域，所涉及的可靠性相關問題進行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  可靠性  功率循環(huán)  溫度循環(huán)  201003  

RS推出1200種三洋半導體產(chǎn)品

  • 　　國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產(chǎn)品。 　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅(qū)使獨自的核心技術, 三洋在多
  • 關鍵字： RS  MOSFET  IGBT  

迎接太陽光伏能源的嶄新黎明

  • 在新系統(tǒng)架構、控制方法和器件設計中的持續(xù)創(chuàng)新使得太陽能的利用效率更高。這些進步包括從全球政府部門對清潔能源的有力推動，使太陽能利用的前途真正變得光明。
  • 關鍵字： 趨勢  采用  發(fā)展  結構  器件  IGBT  
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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