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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

  • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
  • 關鍵字： 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

  • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展?？s短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關鍵的支撐技術。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
  • 關鍵字： 充電樁  碳化硅  

意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  

碳化硅基板及磊晶成長領域 環(huán)球晶布局掌握關鍵技術

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
  • 關鍵字： 碳化硅  寬能隙半導體  

三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

  • 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應用領域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
  • 關鍵字： 三安集成  碳化硅  MOSFET  

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進入第三代半導體時代“

  • 隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質(zhì)半導體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
  • 關鍵字： 碳化硅，半導體  

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
  • 關鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
  • 關鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析

  • 2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關電源應用高級市場經(jīng)理 陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
  • 關鍵字： MOSEFT  碳化硅  SMD  

碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續(xù)模 式
  • 關鍵字： 202004  碳化硅  CoolSiC? MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產(chǎn)和供應碳化硅材料的協(xié)議

  • GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。
  • 關鍵字： GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

  • 近日，羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應協(xié)
  • 關鍵字： 碳化硅  晶圓  

環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

  • 半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應用擴大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期，她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
  • 關鍵字： 環(huán)球晶圓  硅晶圓  碳化硅  

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

  • 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關電源，典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
  • 關鍵字： 碳化硅  柵極驅(qū)動器  
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碳化硅！介紹

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