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液晶顯示器微控制器電路介紹

  • 前已述及，微控制器電路主要由MCU、按鍵輸入電路、存儲(chǔ)器(數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器EEPROM和DDC存儲(chǔ)器)、同步信號(hào)處理電路、開關(guān)量控制電路、模擬量控制電路、I2C總線控制電路等幾部分組成。下面對(duì)這些電路進(jìn)行簡(jiǎn)要分析和介紹。1.M
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液晶顯示器節(jié)能電路介紹

  • 由于液晶顯示器是整個(gè)微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中消耗功率較多的部件之一，因此，一般要求顯示器應(yīng)具有綠色節(jié)能功能。例如，在鍵盤較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)沒有字符輸入時(shí)，計(jì)算機(jī)主機(jī)控制顯示器相關(guān)電路停止正常工作，或者使顯示器電源電路
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液晶顯示器驅(qū)動(dòng)板主控電路概述

  • 在液晶顯示器驅(qū)動(dòng)板(主板)中，有一個(gè)十分重要的電路，稱為主控電路。主控電路的核心器件稱為主控芯片或Sealer芯片，其最基本的功能是進(jìn)行圖像縮放處理。它能把接收到的其他模式信號(hào)，轉(zhuǎn)換成液晶屏所固有的顯示分辨率
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一種高速低功耗LVDS接收器電路的設(shè)計(jì)

  • 摘要 介紹了LVDS系統(tǒng)鏈路結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)傳輸原理，分析了LVDS標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接收器電路的需求，文中基于65 nm數(shù)字CMOS工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了一種高速低功耗LVDS接收器電路。仿真結(jié)果表明，在2．5 V電源電壓工作下，該LVDS接收器具有2
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MCU晶體旁邊電容的作用及振蕩電路的分析

  • 絕大多數(shù)的MCU愛好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。參考很多書籍，講解的很少，往往提到最多的是起穩(wěn)定作用，負(fù)載電容之類的話，都不是很深入理論的分析。問題是很
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電磁爐檢測(cè)電路工作原理分析

  • 1 電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路　　電網(wǎng)電壓檢測(cè)、高壓檢測(cè)保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機(jī)以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
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有趣的人體反應(yīng)速度測(cè)試電路

  • 一、電路介紹這里介紹的人體反應(yīng)速度測(cè)試器主要由4只數(shù)字電路芯片和10只LED等組成，可以測(cè)出人體對(duì)信號(hào)的反應(yīng)時(shí)間，并將反應(yīng)時(shí)間分為8段，段數(shù)越高反應(yīng)速度越快，經(jīng)常進(jìn)行反應(yīng)測(cè)試訓(xùn)練，可以逐步提高人體的反應(yīng)速度。
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交流電源中浪涌電流的控制電路

  • 采用墻上交流電壓工作的大功率電源都要使用大的輸入濾波電容。必須限制這些電容的浪涌電流，否則，電源就可能觸發(fā)交流斷路器，或者造成整流器、濾波扼流圈或PCB(印刷電路板)走線的損壞。本例中的電路是在電容的充電路
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RF、SSP及DSP處理電路介紹

  • RF、SSP及DSP處理電路伺服電路的組成：由RF放大、伺服處理KB9223(SU3)，DSP處理KS9284(SU2)，聚焦、循跡、主軸、進(jìn)給、進(jìn)出倉(cāng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)KA9259(SU4)等組成。
    整機(jī)原理框圖見85頁(yè)附圖。1、RF數(shù)字信號(hào)處理
    從光盤反射回
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分頻與倍頻電路分析

  • 圖中所示是用運(yùn)算放大器通用I型組成的分頻和倍頻電路.能在10HZ~10KHZ頻段內(nèi)工作.圖示線路是分頻與倍頻的基本構(gòu)成方法,即是一種鎖段內(nèi)工作.圖示線路是分頻與倍頻的基本構(gòu)成方法,即是一種鎖相環(huán)的方法.輸入頻率FM首先經(jīng)
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LED燈具失效原因及電路保護(hù)措施分析

  • LED燈具損壞的原因　　LED燈具失效一是來源于電源和驅(qū)動(dòng)的失效，二是來源于LED器件本身的失效。通常LED電源和驅(qū)動(dòng)的損壞來自于輸入電源的過電沖擊(EOS)以及負(fù)載端的斷路故障。輸入電源的過電沖擊往往會(huì)造成驅(qū)動(dòng)電路中
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ASIC和微處理器芯片供電電源電路介紹

  • 今天的高性能ASIC和微處理器芯片消耗的功率可超過150瓦。對(duì)于1 V1.5 V的供電電壓，這些器件所需要的電流可輕易超過100 A。通過采用多相直流/直流轉(zhuǎn)換器，為此類器件供電的任務(wù)可變得更容易處理。 目前，可擴(kuò)展控制器
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軟開關(guān)PFC電路的倍頻感應(yīng)電源的設(shè)計(jì)與仿真

  • 0 引言　　Boost電路應(yīng)用到功率因數(shù)校正方面已經(jīng)較為成熟，對(duì)于幾百瓦小功率的功率因數(shù)校正，常規(guī)的電路是可以實(shí)現(xiàn)的。但是對(duì)于大功率諸如感應(yīng)加熱電源，還存在很多的實(shí)際問題。為了解決開關(guān)器件由于二極管反向恢復(fù)時(shí)
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白光LED驅(qū)動(dòng)電路的比較

  • 所有專為驅(qū)動(dòng)白光LED而設(shè)計(jì)的集成電路都可以提供恒定電流，其中絕大多數(shù)是基于電感式升壓變換器或電荷泵的解決方案，這兩種解決方案各有其優(yōu)缺點(diǎn)。電荷泵解決方案是利用泵電容將電能從輸入端傳送至輸出端，整個(gè)過程不
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）

  • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
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電路介紹

type D conditioning D型調(diào)節(jié)，D型修整（話音級(jí)電路） type D conditioning [ 查看詳細(xì) ]
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