瑞薩(renesas) 文章 進(jìn)入瑞薩(renesas)技術(shù)社區(qū)
瑞薩科技宣布管理團(tuán)隊更迭
- 瑞薩科技公司宣布了其在管理團(tuán)隊方面的最新變化,這是在瑞薩董事會會議上做出的決定。 總裁兼首席執(zhí)行官Satoru Ito將出任主席兼首席執(zhí)行官,并將全面負(fù)責(zé)瑞薩科技的管理工作。Katsuhiro Tsukamoto執(zhí)行副總裁將出任總裁兼首席運營官,負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)運營。新的任命將進(jìn)一步加強公司結(jié)構(gòu)以達(dá)到更加敏銳和敏捷的管理。 高級執(zhí)行副總裁、董事Yasuhiko Fukuda和高級副總裁、董事Katsumi Suizu將于2006年3月31日從他們目前的職位退休。此外,Yut
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瑞薩發(fā)布具有片上內(nèi)核電控制復(fù)位IC
- 無需上電定時設(shè)計,有助于縮短系統(tǒng)開發(fā)時間 瑞薩科技公司發(fā)布了業(yè)界第一個集成了一個內(nèi)核上電控制功能的復(fù)位IC*1 RNA50C27AUS。該功能可用于采用3.3VI/O電源電壓*2和1.8V內(nèi)核電源電壓*3的雙電源微型機(jī)。樣品將在2006年4月從日本開始出貨。 RNA50C27AUS通過預(yù)先連接諸如晶體管的外部器件,集成了一個內(nèi)核上電控制電路,可以在與I/O電源狀態(tài)協(xié)調(diào)的情況下實現(xiàn)與內(nèi)核電源的上電/斷電控制。這樣就避免了在實現(xiàn)電源系統(tǒng)設(shè)計時所需的復(fù)雜的上電定時設(shè)計。 &
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RSA Security選擇瑞薩科技安全I(xiàn)C解決方案
- 兩家公司也將合作為多種類型計算設(shè)備提供強大的雙因素two-factor 驗證能力 瑞薩科技公司宣布,RSA Security公司已選擇一種瑞薩的安全I(xiàn)C解決方案,用于其RSA SecurID® SID800 USB雙因素驗證標(biāo)記。該解決方案包括一個建立在瑞薩成熟的安全技術(shù)上的安全I(xiàn)C芯片,以及Java Card™ 操作系統(tǒng)和加密庫。 為了使瑞薩安全I(xiàn)C解決方案的成功應(yīng)用融入RSA Security的產(chǎn)品,兩家公司也將
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瑞薩與力晶簽署1Gbit AG-AND技術(shù)授權(quán)合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導(dǎo)體簽署授權(quán)合約,內(nèi)容涵蓋運用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類器件的銷售。在此之前,雙方已簽署過關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系,并開始允許力晶半導(dǎo)體(PSC)以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署,會使市場 AND 閃存的供應(yīng)量增長,也將促進(jìn)此類器件市場的擴(kuò)充,對客戶大有裨益。
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瑞薩與力晶簽署1GbitAG-AND技術(shù)授權(quán)合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導(dǎo)體簽署授權(quán)合約,內(nèi)容涵蓋運用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類器件的銷售。在此之前,雙方已簽署過關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系,并開始允許力晶半導(dǎo)體(PSC)以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署,會使市場 AND 閃存的供應(yīng)量增長,也將促進(jìn)此類器件市場的擴(kuò)充,對客戶大有裨益。
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日立東芝瑞薩成立芯片公司與英特爾爭霸
- 日本日立有限公司、東芝公司以及瑞薩科技公司近日宣布,三方將結(jié)成同盟,成立聯(lián)合公司,生產(chǎn)更加先進(jìn)的芯片,以更好地與世界第一大芯片生產(chǎn)公司——英特爾之類的大公司進(jìn)行競爭。 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》于周三的報道稱,這三家公司將投資1000億日元8.516億美元),在日本成立新的芯片生產(chǎn)線,并希望新公司能于2007年開始大量生產(chǎn)系統(tǒng)芯片。 東芝、日立及瑞薩三家公司在一份聯(lián)合聲明中也表示,三方將開始考慮建立一個半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,但具體情況仍未最終確定。&n
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日立與瑞薩推出相位轉(zhuǎn)換存儲器原型
- 日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程。與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個單元的功耗降低了50%。 據(jù)介紹,相對于現(xiàn)有的非易失存儲器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,
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